半导体三极管的好坏检测
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.
d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.
场效应管(MOS管)
1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)
2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管
3、场效应管电路符号：
4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)
注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。
江苏二极管双极结型晶体管（BJT）p双极结型晶体管由掺杂的半导体组成，具有三个端子，即基极，发射极和集电极。
肖特基二极管的检测
二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。
三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
三极管
三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值：
（1）Vceo：在集极开路的情况下，集电极和发射极之间的击穿电压；
（2）Vcbo: 在发射极开路的情况下，集电极和基极之间的击穿电压；
（3）Vebo: 在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的击穿电压；
三极管的三个反向击穿电压
虽然在形式上，三极管看似为两个反向的二极管串联，但在工艺上，三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同，使得上面三个反向击穿电压不同，通常情况下它们之间的关系为：
Vcbo>Vceo>>Vebo
测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:。
（四）发光二极管的检测
1．性能好坏的判断
用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于（高于万用表R×1k档内电池的电压值）的缘故。
用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。
也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74），正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。TSS二极管哪种好
随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。佛山可控硅管
稳压二极管
高重复峰值反向电压(耐压)及大反向电流
这两个技术参数有一定的关联，放在一起说。
电源中整流桥的损坏常常是耐压问题，如何通过检验对二极管的耐压品质作出判断呢?这是提高产品可靠性的关键。
二极管的反向特性曲线必须是硬特性，软特性的二极管反向漏电流必然大，这种情况造成的损坏表现是PCB板变色，烧焦。
检验反向耐压的一致性。如果抽检一批二极管，虽然全部达到要求，肖特基二极管极性，耐压值的离散性大于20%，厦门肖特基二极管，在长期使用时就可能有问题。
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