红外光敏二极管的检测
将万用表置于R×1k档,测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口(见图4-75)。正常的红外光敏二极管,在按动遥控器上按键时,其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多,说明红外光敏二极管的灵敏度越高。
晶体管之所以能够大规模使用是因为它能以极低的单位成本被大规模生产。通用二极管品牌企业
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低()、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
SS34 二极管比较便宜FET只由一种载流子(多数载流子)参与导电,因此也称为单极型晶体管。
(四)发光二极管的检测
1.性能好坏的判断
用万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无穷大)。较高灵敏度的发光二极管,在测量正向电阻值时,管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大),这是因为发光二极管的正向压降大于(高于万用表R×1k档内电池的电压值)的缘故。
用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则说明该发光二极管完好。
也可用3V直流电源,在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极(见图4-74),正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档,黑表笔接电池负极,等于与表内的电池串联),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。
从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出,它的正向特性与普通二极管是一致的,反向特性,当低于它的击穿电压时,也与普通二极管的特性相类似,处于截止,但是当超过击穿电压时电流会迅速变化,但是电压会保持在一个很小的区间范围内。基本的二极管稳压电路,就是通过与负载反向并联,保持工作电压稳定的。
稳压二极管的使用
稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的,如果输入的电压没有超过其稳压值,它是不导通的,如果超过它的稳压值,它会击穿导通。一般来讲,输入的电压都是超过其稳压值的,在实际使用时,就需要通过电阻与其串联,去承担高于稳压值的这部分电压。
二极管、三极管、场效应管都是半导体器件,在电子电路中担任着十分重要的作用,现在我来和朋友们聊聊它们之间的联系和区别吧。
场效应管(MOS管)
我先说说MOS(场效应管)管,MOS管在半导体基片的两侧也是有两个PN结。从P型(或者N型)半导体上面引出一个电极并将这个电极连接起来作为MOS管的栅极(G)。然后在基片的两端再引出两个电极分别称为源极(S)和漏极(D)。如下图所表示的那样。从图中我们可以知道,栅极(G)和源极(S)和漏极(D)是不导电的,所以我们给它起个名字就叫绝缘栅型场效应管,这个器件的名字就是这样的来的。
根据其不同用途进行分类,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管。稳压二极管制造商
稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。通用二极管品牌企业
高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值,正常的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为Ω,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明被测变阻二极管已损坏。
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