双基极二极管的检测
1.电极的判别 将万用表置于R×1k档,用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值,会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ,这两个电极即是基极B1和基极B2,另一个电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E,用红表笔依次去接触另外两个电极,一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中,红表笔接的是基极B2,另一个电极即是基极B1。
2.性能好坏的判断 双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表R×1k档,将黑表笔接发射极E,红表笔依次接两个基极(B1和B2),正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E,黑表笔依次接两个基极,正常时阻值为无穷大。
双基极二极管两个基极(B1和B2)之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内,若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时,则说明该二极管已损坏。
测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。光敏三极管代理销售价格
高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值,正常的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为Ω,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明被测变阻二极管已损坏。
江苏晶体二极管所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
通俗易懂的三极管工作原理 *
1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响,使pn结的功能发生了质的飞跃,具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用,首先,制造工艺上的两个特点:(1)基区的宽度做的非常薄;(2)发射区掺杂浓度高,即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。
2、晶体三极管的工作原理。
其次,三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V);(b)在C极和E极之间施加反向电压(此电压应比eb间电压较高);(c)若要取得输出必须施加负载。
场效应管与晶体管的比较
(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管
随着半导体刻蚀技术和工艺的发展,大规模集成电路的集成度越来越高。
三极管可以并联使用以扩大电流容量,也可以组成达林顿管的形式来提高三极管的增益。
DB681是一款NPN型的达林顿管,它是由两个NPN三极管组成,***个三极管的发射极连接到第二级三极管的基极。其中还集成有两个三极管的Rbe电阻。它的耐压为:Vceo=100V。
BD681达林顿三极管
下面是测量BD681的C、E之间的击穿电压电流曲线,可以看到这款达林顿三极管的实际Vceo为190V。
NPN型达林顿三极管BD681的C、E击穿电压电流曲线
DB682是一款PNP型号达林顿管,通常与BD681组成互补桥电路功率输出。它的C、E之间的击穿电压电流曲线如下图所示:
PNP型达林顿三极管BD682C、E击穿电压电流曲线
这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动。二极管制造公司
晶体管可单独包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。光敏三极管代理销售价格
S8050是一款NPN小功率三极管,数据手册上给出的Vceo大约为25V,Vcbo为40V,而Vebo只有6V。下面是测量一个实际S8050三级的Vceo,V cbo的反向击穿电压电流曲线:
S8050 Vceo:大约45V
S8050 Vcbo:大约115V
可以看出Vcbo比Vceo大了将近三倍。如果**从三极管的符号上来看,这个结果的确非常令人难以理解。因为Vcbo是测量集电极到基极之间的PN节反向击穿电压;Vceo看似是在C、B之间增加了一个B、E的正向导通的PN节,为何Vceo反而比Vcbo小了那么多呢?
具体原因就不再这儿展开讨论了。如果你感兴趣可以参见相关资料来进行分析。
通常情况下,三极管都是工作了电路中,不会有任何一个电极是悬空的。此时,三极管的耐压就和手册给定的击穿电压不同。
下面是在B、E之间连接一个偏置电阻,重新测量C、E之间的击穿电压。
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