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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机

10、半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为0.6-0.8V;锗管的导通电压为0.2-0.3V),而工程分析时通常采用的是0.7V.


11、半导体二极管的伏安特性曲线:(通过二极管的电流I与其两端电压U的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。)见图三.



图三 硅和锗管的伏安特性曲线


12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。


包括各种半导体材料制成的二极管(二端子)、三极 管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。贴片稳压二极管直销

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9、稳压二极管的基本知识


a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。


b、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。


c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表:


型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761


稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V



场效应管出厂价格双极结型晶体管(BJT)p双极结型晶体管由掺杂的半导体组成,具有三个端子,即基极,发射极和集电极。

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3)开关二极管

    在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。


  4) 稳压二极管

    稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在 电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)。


  5)变容二极管

     变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被***地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中。


场效应管(MOS管)


1、场效应管英文缩写:FET(Field-effecttransistor)


2、场效应管分类:结型场效应管和绝缘栅型场效应管


3、场效应管电路符号:


4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)


注:场效应管属于电压控制型元件,又利用多子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪声小,功耗低,无二次击穿现象等优点。


二极管比较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过,反向时阻断 。

5、场效应晶体管的优点:具有较高输入电阻高、输入电流低于零,几乎不要向信号源吸取电流,在在基极注入电流的大小,直接影响集电极电流的大小,利用输出电流控制输出电源的半导体。
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这两种管子通常用于开关电源。


  肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!


  前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!


  快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

   肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响*为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。东莞三极管

随着半导体刻蚀技术和工艺的发展,大规模集成电路的集成度越来越高。贴片稳压二极管直销

二极管的主要参数


二极管是非线性元件,二极管具有单向导电性


1.比较大整流电流IF。


是指二极管长时间连续使用时,允许通过的比较大正向平均电流


2.反向击穿电压VBR和比较大反向工作电压VRM


反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值


3反向饱和电流IR


指没有发生反向击穿时的反向电流值,反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好,其大小受温度影响较大。


4比较高工作效率


指二极管所能承受的比较高频率,主要由N结的结电容大小决定二极管的性能

 



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