7、半导体二极管的识别方法：
a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.
b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.
c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。PNP三极管报价
变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：
（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。
（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。
超快恢复二极管制造商双极结型晶体管（BJT）p双极结型晶体管由掺杂的半导体组成，具有三个端子，即基极，发射极和集电极。
三极管基极偏置电路分析**为困难，掌握一些电路分析方法可以方便基极偏置电路的分析。
1、电路分析的***步是在电路中找出三极管的电路符号，如图所示，然后在三极管电路符号中后找出基极，这是分析基极偏置电路的关键一步。
2、第二步从基极出发，将与基极和电源端相连的所有元器件找出来，如图所示，电路中的RB1，再将基极与地端相连的所有元器件找出来，如电路中的RB2，这些元器件构成基极偏置电路的主体电路。
上述与基极相连的元器件中，要区别哪些元器件可能是偏置电路中的元器件。电阻器有可能构成偏置电路，电容器具有隔直作用而视为开路，所以在分析基极直流偏置电路时，不必考虑电容器。
3、第三步确定偏置电路中的元器件后，进行基极电流回路的分析，如图所示。基极电流回路是：直流工作电压VCC→偏置电阻RB1→VT1基极→VT1发射极→VT1发射极电阻RE→地端。
二极管、三极管、场效应管都是半导体器件，在电子电路中担任着十分重要的作用，现在我来和朋友们聊聊它们之间的联系和区别吧。
场效应管（MOS管）
我先说说MOS（场效应管）管，MOS管在半导体基片的两侧也是有两个PN结。从P型（或者N型）半导体上面引出一个电极并将这个电极连接起来作为MOS管的栅极（G）。然后在基片的两端再引出两个电极分别称为源极（S）和漏极（D）。如下图所表示的那样。从图中我们可以知道，栅极（G）和源极（S）和漏极（D）是不导电的，所以我们给它起个名字就叫绝缘栅型场效应管，这个器件的名字就是这样的来的。
一旦确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。
稳压二极管在参数选择时，首先需要确定稳压值，这个与负载电路有关，由于稳压二极管并不是每个电压值都有，并且稳压值会存在一定的离散性，所以在选择稳压值时，可以根据负载的情况选择接近的稳压值，比如5V的负载可以选择的稳压二极管。
确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用：一个是提供稳压二极管的工作电流，另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时，无法起到正常的稳压作用，过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值，需要首先确定两个值，一个是输入的电压范围，另一个是负载电流的变化范围，还有另外的两个参数**小电流以及比较大电流，这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。
假设输入电压的范围为15V-18V，负载电流变化范围为5-15mA，输出稳压值为12V，稳压二极管的**小电流为，比较大电流为50mA。
根据公式计算：（18V-12V）/（50mA+5mA）
以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数，应该特别主要的是，稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的，这样在输入电压超过其稳压值时，不但不会起到稳压作用，还会引起发热损坏。
FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此也称为单极型晶体管。整流桥二极管制造公司
随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。PNP三极管报价
高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
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