对二极管和三极管极限施压会如何? *
变化和不确定是世界的主旋律,因此在工程设计中需要在很多指标上留有余量。比如在电路设计中,器件的比较高承受的电压、电流、消耗功率、工作环境温度、湿度等指标需要根据实际电路留有一定的余量。
这个余量既不能够太多,否则就会带来器件在尺寸、价格上的猛增;也不能够太小,或者没有,这样就会使得设备寿命、可靠性大打折扣。
手边有一台简易高压发生器,可以产生0~4000V的直流电压,因此可以获得常见电子器件的承受高压下电流曲线。了解到电子器件数据手册耐压数值与其实际耐压,以及器件在高压击穿下的变化,可以帮助更加合理选择设备耐压数值。
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。MOS二极管品牌企业
稳压二极管是很多电路中,低电流供电时使用比较多的方案。因为其成本低,只需与电阻组合,就能够实现基本的稳压电路。虽然它的稳压精度无法做到太高,但是在很多要求不高的电路中,还是比较合适的。
稳压二极管的稳压原理
稳压二极管也叫做齐纳二极管,它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性,但是这种二极管的反向电压超过一定值的时候,会出现击穿的现象,并且这种击穿是软击穿,并不会对二极管造成损坏。稳压二极管的稳压作用,就是利用了它的反向击穿作用。稳压二极管内部也是由PN结构成的,PN结在反向击穿时,电流在一定范围内变化时,电压会基本保持不变。
PNP三极管代理销售价格同电子管相比,晶体管具有诸多优越性。
变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:
(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。
(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。
从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出,它的正向特性与普通二极管是一致的,反向特性,当低于它的击穿电压时,也与普通二极管的特性相类似,处于截止,但是当超过击穿电压时电流会迅速变化,但是电压会保持在一个很小的区间范围内。基本的二极管稳压电路,就是通过与负载反向并联,保持工作电压稳定的。
稳压二极管的使用
稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的,如果输入的电压没有超过其稳压值,它是不导通的,如果超过它的稳压值,它会击穿导通。一般来讲,输入的电压都是超过其稳压值的,在实际使用时,就需要通过电阻与其串联,去承担高于稳压值的这部分电压。
二极管
二极管是常见到的单向导通的半导体器件,通常用于信号的整流、检波、电路钳位等。如果反向电压超过其耐压就会引起器件击穿。如果没有限流二极管则会由于功率上升而烧毁。
1N4005硅二极管
1N 400X系列的二极管是常用在信号整流的二极管。数据手册给定的反向击穿电压分别为:
1N4001: 50V;1N4002: 100V;
1N4003:200V;1N4004:400V;
1N4005:600V;4N1006:800V;
1N4007:1000V
下面分别测量手边1N4001,1N4007反向电压-电流曲线。
1N4001二极管反向电压超过200V时,反相电流急剧上升。并且随着反相电流的增加,电压出现复杂变化的情况。
1N4001反向电压电流曲线
1N4007的反向电流电流曲线呈现单调上升的趋势,当反向电压超过1650V的时候,二极管击穿。
1N4007反向电压电流曲线
根据1N4001,1N4007反向击穿电压测试结果可以看出实际器件耐压都比数据手册数值高。由于半导体器件的参数具有很大的离散性,器件实际耐压比数据手册高是为了保证在最坏的情况下仍然能够满足电路的工作电压。
FET只由一种载流子(多数载流子)参与导电,因此也称为单极型晶体管。可变三极管现货
测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。MOS二极管品牌企业
红外光敏二极管的检测
将万用表置于R×1k档,测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口(见图4-75)。正常的红外光敏二极管,在按动遥控器上按键时,其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多,说明红外光敏二极管的灵敏度越高。
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