三极管放大原理
值得注意的是，对于三极管放大作用的理解，必须切记一点：根据能量守恒定律，能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。
晶体管的内部工作原理就是对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源，使基极-发射极间电流的数十至数百倍（因晶体管种类而异）的电流在集电极与发射极之间流动。也就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。晶体三级管的内部工作原理如下图3所示。
晶体管密闭并封装在塑料或金属圆柱形外壳中，带有三根引线。电子管晶体管厂家
工作电压和阈值电压大小比较时，MOS管工作状态
另外，以上的MOS晶体管叫做增强型MOS晶体管，MOS晶体管不只有这一种，还有许多许多种，比如①不加电压，②和③之间通电，加上电压之后反而不通电了的，这叫做耗尽型晶体管。另外，P型衬底的叫做P型MOS管，N型衬底的叫做N型MOS管，这方面想要详细了解，翻阅教科书。（此处修改，PMOS是导电沟道为P沟道的MOS，即N-body加电压后沟道反型，沟道区域的多数载流子由电子变成空穴，这个沟道叫做P-Channel，如下右图所示。NMOS也是同样的道理）
绵阳电路晶体管简而言之，晶体管就是个可变电阻。
一、三极管的放大作用
1.外部条件：发射结正偏，集电结反偏
2.内部条件：基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度
3.IE、IB、Ic之间关系＇：IE＝IB+Ic.
3晶体三极管的特性曲线
一． 定义：指三极管各电极电压和电流之间的关系曲线，主要包括：输入和输出特性曲线。
二． 输入特性曲线
定义：当集电极和发射极之间的电压UCE保持一定时，晶体三极管的输入电流IB（基极电流）与输入电压UBE（基极和发射极之间的电压之间的关系曲线）
：IB=f（UBE）
三、单结晶体管振荡器
1.单结晶体管振荡器电路
在电子电路中，常常利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性，组成非正弦波脉冲振荡电路，单结晶体管振荡电路如图6a所示。图中，R、C为充放电元件，V为单结晶体管，Rb1、Rb2为基极电阻，其中Rb2为限流电阻，Rb1是负载电阻，其两端产生的电压降就是振荡输出信号。
2.单结晶体管振荡电路的工作原理
单结晶体管振荡电路的工作原理如下。当开关S闭合后，电源Ucc接入电路中，单结晶体管的b2经电阻Rb2与电源的正极相连，b1经电阻Rb1与电源的负极相接，即b2、b1之间加上了一个正电压。同时，电源Ucc还通过电阻R对电容C进行充电，电容两端的电压Uc随时间按**规律上升，充电时间常数τ=RC。
当电容两端的电压Uc，即发射极所加的电压Ue＜Up峰点电压时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，电阻Rb1上无电流通过，输出电压Uo=0，即无脉冲信号输出
双极晶体管指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。
在这个区域内集成了三种不同的导电物质。我们按照物质的导电性能将物质分成了三大类：导体、绝缘体和半导体。
***类是导体，比如像金属，是通过内部带有负电的电子来传递电流的；第二类是绝缘体，它们则会阻挡电流流过；第三类是可以用来制作成晶体三极管的半导体。正如它的名字所示，半导体的导电性能好于绝缘体，但比导体差。
与导体比较大的一点不同，导体只是有带有负电荷的电子来导电，而半导体则会有两种不同的导电粒子，也称为载流子：正电荷载流子和负电荷载流子。这是三极管特性基础。
根据这两种不同载流子的半导体，工程师们可以制作小型可靠的单向导电的半导体器件-二极管。
GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。北京电压晶体管
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。电子管晶体管厂家
1) 基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。
（2）基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因
而就没有集电极电流产生。
综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。
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