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晶体管基本参数
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晶体管企业商机

PN结(二极管)的形成

首先,我们已经知道分子是由带正电荷的原子核,和绕着原子核旋转的带等量负电荷的电子组成的,这种只能绕着原子核旋转的电子叫做束缚电子,而另外还有一种脱离了原子核的束缚,可以在材料中自由移动的电子,叫做自由电子。


金、银、铜、铝都是优异的导体,这是因为他们都拥有大量的自由电子,在没有加电场的时候,自由电子在导体中无规律地自由移动,没有电流形成,而当加上电场后,自由电子由于带负电荷,会沿着电场定向移动形成电流。


那我们自然可以想到,有没有一种物体,其中有带正电荷的粒子,也可以沿着电场移动,从而导电?原子核带正电荷,然而原子核是不能移动的(说法不严谨,意思明白就行),那么有没有其他带正电荷的粒子来导电呢?


有的,半导体就即可以用自由电子(带负电荷)导电,也可以用空穴(带正电荷)导电。


简而言之,晶体管就是个可变电阻。计算机晶体管品牌企业

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当芯片设计好了之后,就要制造出来,晶体管就是在晶圆上直接雕出来的,晶圆越大,芯片制程越小,就能切割出更多的芯片,效率就会更高。


举个例子,就好像切西瓜一样,西瓜更大的,但是原来是切成 3 厘米的小块,现在换成了 2 厘米,是不是块数就更多。所以现在的晶圆从 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到现在 16 寸大小。


制程这个概念,其实就是栅极的大小,也可以成为栅长,它的距离越短,就可以放下更多的晶体管,这样就不会让芯片不会因技术提升而变得更大,使用更先进的制造工艺,芯片的面积和功耗就越小。但是我们如果将栅极变更小,源极和漏极之间流过的电流就会越快,工艺难度会更大。


芯片制造共分为七大生产区域,分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化。


合肥电子晶体管晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

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下面的分析*对于NPN型硅晶体管三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。


三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。


如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。


半导体学习曲线的一大优点是,只要生产出晶体管或等效开关,它就会适用。虽然摩尔定律正在加速寿终正寝,但学习曲线永远不会过时。但将会看到,所生产的晶体管总量将不再以如此快的速度在对数坐标上向右移动,从而价格也不会像过去那样迅速下降。改进学习的明显效果将会减弱。在某一时刻,货币通胀将大于制造成本的降低,即使晶体管的单位价格以固定货币的形式减少,而实际上可能会随着时间的推移以***货币的形式而增长。同时,学习曲线也是预测未来的有用指南。在2019年,单个晶体管的收入年下降率约32%.



按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。

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芯片制造过程共分为七大生产区域,分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化,光刻和刻蚀是其中**为**的两个步骤。


而晶体管就是通过光刻和蚀刻雕刻出来的,光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用,类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是电路图和其他电子元件。


刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。通常的晶圆加工流程中,刻蚀工艺位于光刻工艺之后,有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的***侵蚀,从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤.


而其中,还涉及到的材料就是光刻胶,我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模板上,然后光源通过掩模板照射到附有光刻胶的硅片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模板上的电路图转移到光刻胶上,***利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。


晶体管包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。中山参数晶体管

晶体管是有电信号放大功能与切换功能的相当有有发表性的半导体器件。计算机晶体管品牌企业

晶体管基极-发射极间的二极管


对于三极管的理解,可能有同学还不是很理解,下面就用生活中一个很常见的实物类比,这里以NPN型三极管为例进行说明,PNP型三极管类似,只是方向不同而已,结论都适用。


三极管就如同日常使用的水龙头,如下图5所示,三极管的集电极C可以看做水龙头的进水口;发射极E可以看做可以看做水龙头的出水口,基极B可以看做水龙头的开关。


类比三极管的水龙头


在使用水龙头时,转动开关B,当向右转动时,水流会慢慢增大,向右转到比较大位置时,水流比较大,此时开关B无法再向右旋转,即对应三极管的饱和模式;



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