晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极比较大电流、比较大反向电压、反向电流等。
放大系数
直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
交流放大倍数
交流放大倍数，也即交流电流放大系数、动态电流放大系数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。江苏晶体管现货
在讨论学习曲线时，我将重点放在晶体管上，但应该注意的是，可以很容易地使用电子“开关”作为测量单位。同样，学习曲线也适用于机械开关、真空管。除此之外，学习曲线还可以用来预测性能、可靠性 (FITS)、功耗和许多其他参数。学习曲线还可以预测新技术采用的“临界点”。一个很好的例子是2001 年半导体测试行业引入的“压缩技术”。事后看来，通过集成电路中晶体管测试成本的学习曲线，该项重大创新是不可避免的。ATE 的成本学习曲线与硅晶体管的学习曲线不平行，并且有一个较小的陡坡，ATE 成本下降的速度不够快。广东晶体管现货晶体管就像水管中的水阀，可以用来控制流量的机制。
2．单结晶体管的特性——伏安特性
单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue，在b2、b1极之间加一个正电压Ubb，其发射极电流Ie与发射极电压Ue的关系曲线。
由单结晶体管的伏安特性曲线可见：
（1）当发射极所加的电压Ue＜Up(峰点电压，约6～8V)时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，即曲线的AP段。此时，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，e、b1极之间相当于一个断开的开关。
（2）当发射极所加的电压Ue越过Up峰点电压后，单结晶体管开始导通，随着导通电流Ie的增加，其e极对地的电压Ue是不断下降的，即曲线的PV段。在曲线的PV段，其动态的电阻值是负值的，这一区间又叫负阻区。负阻区是一个过渡区，时间很短，随着Ie电流的增加，电压Ue将很快达到谷点电压Uv。
（3）当Ie增加到谷点电压所对应的电流，即谷点电流Iv之后，Ue将随Ie的增加而增加，即曲线的VB段，其动态电阻是正值的，这一区间又称为饱和区。单结晶体管工作在饱和区时，其e、b1极之间的等效阻值非常小，e、b1极之间相当于一个闭合的开关。
综上所述，单结晶体管的e、b1极之间，相当于一个受发射极电压Ue控制的开关，故可以用来作振荡元件。
PN结（二极管）的形成
首先，我们已经知道分子是由带正电荷的原子核，和绕着原子核旋转的带等量负电荷的电子组成的，这种只能绕着原子核旋转的电子叫做束缚电子，而另外还有一种脱离了原子核的束缚，可以在材料中自由移动的电子，叫做自由电子。
金、银、铜、铝都是优异的导体，这是因为他们都拥有大量的自由电子，在没有加电场的时候，自由电子在导体中无规律地自由移动，没有电流形成，而当加上电场后，自由电子由于带负电荷，会沿着电场定向移动形成电流。
那我们自然可以想到，有没有一种物体，其中有带正电荷的粒子，也可以沿着电场移动，从而导电？原子核带正电荷，然而原子核是不能移动的（说法不严谨，意思明白就行），那么有没有其他带正电荷的粒子来导电呢？
有的，半导体就即可以用自由电子（带负电荷）导电，也可以用空穴（带正电荷）导电。
晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式。
通俗易懂的三极管工作原理 *
1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。
2、晶体三极管的工作原理。
其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V)；（b）在C极和E极之间施加反向电压（此电压应比eb间电压较高）；（c）若要取得输出必须施加负载。
半导体三极管是电路中应用比较常见的器件之一，在电路中用“V”或“VT”表示。长沙电子管晶体管
目前数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管。江苏晶体管现货
**小噪声系数和相关增益与IDSS漏极电流之间的关系，2x75 pHEMT工艺 [使用Agilent ADS和PH25设计套件模拟，由United Monolithic Semiconductors（UMS）提供]
线性度也是有源器件的一个重要特性，它可以测量漏极电流随负载线的栅极电压变化的线性变化。从图中可以看出，它是I / V曲线在偏置点周围的平行和均匀间隔的度量。这通常在I / V图的中间是比较好的，并且主要是器件技术的函数，GaAs MESFET和Si横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管通常比Si双极晶体管更加适合在线性 放大器中应用。
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