也可使用其它种类器件完成同样的单向导电功能，比如真空二极管。但是它们非常复杂，具有很多部件，如果过热也会造成器件不可靠，造价很高，也不可能进行小型化。
能够小型化非常关键，晶体管带来了微电子的**变化。Brattain所制作的晶体管是所有晶体管的基础。
为了理解***个晶体管的工作原理，可以把它左右分开，看成两个并联在一起的单向导电的二极管。
在中间是一层半导体锗，它具有负电荷载流子。下面是金属铜形成的导电基底。**上层是有金箔层。
当金箔接触到半导体锗表面的时候，就会形成带有正电荷载流子的半导体。在其下就是带有负电荷载流子的锗半导体。
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。佛山数字晶体管
多闸极晶体管的载子通道受到接触各平面的闸极控制。因此提供了一个更好的方法可以控制漏电流。由于多闸极晶体管有更高的本征增益和更低的沟道调制效应，在类比电路领域也能够提供更好的效能。如此可以减少耗电量以及提升芯片效能。立体的设计也可以提高晶体管密度，进而发展需要高密度晶体管的微机电领域。
与平面CMOS（互补金属氧化物半导体）技术相比，FinFET器件具有明显更快的开关时间和更高的电流密度。FinFET是一种非平面晶体管或“ 3D”晶体管。它是现代纳米电子半导体器件制造的基础。
2011年，英特尔将之用于22nm工艺的生产，正式走向商业化。从2014年开始，14nm（或16nm）的主要代工厂（台积电，三星，GlobalFoundries）开始采用FinFET设计。在接下来的发展过程中，FinFET也成为了14 nm，10 nm和7 nm工艺节点的主要栅极设计。
电路设计晶体管销售代理晶体管包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。
晶体管基极-发射极间的二极管
对于三极管的理解，可能有同学还不是很理解，下面就用生活中一个很常见的实物类比，这里以NPN型三极管为例进行说明，PNP型三极管类似，只是方向不同而已，结论都适用。
三极管就如同日常使用的水龙头，如下图5所示，三极管的集电极C可以看做水龙头的进水口；发射极E可以看做可以看做水龙头的出水口，基极B可以看做水龙头的开关。
类比三极管的水龙头
在使用水龙头时，转动开关B，当向右转动时，水流会慢慢增大，向右转到比较大位置时，水流比较大，此时开关B无法再向右旋转，即对应三极管的饱和模式；
三极管的三种工作状态是非常重要的，是无线电基础中的基础。对此我是这样理解的。无论是NPN型三极管还是PNP型三极管，当发射结加正向偏置电压，而集电结加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在放大模式；而当其发射结和集电结都加正向偏置电压时，该三极管就工作在饱和模式；而当发射结和集电结同时加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在截止模式。为此我编了一句顺口溜：发正集反是放大；全正饱和全反截，希望对大家理解有用。
既然晶体三极管那么重要，那么我们改如何正确理解三极管的工作原理，并正确使用三极管呢？小何下面就跟大家一一分享。
按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
晶体管的发展1）真空三极管
1939年2月，Bell实验室有一个伟大的发现，硅p_n结的诞生。1942年，普渡大学Lark_Horovitz领导的课题组中一个名叫Seymour Benzer的学***现锗单晶具有其它半导体所不具有的优异的整流性能。这两个发现满足了美国**的要求，也为随后晶体管的发明打下了伏笔。
2）点接触晶体管
1945年二战结束，Shockley等发明的点接触晶体管成为人类微电子**的先声。为此，Shockley为Bell递交了***个晶体管的专利申请。**终还是获得了***个晶体管**的授权。
3）双极型与单极型晶体管
Shockley在双极型晶体管的基础上，于1952年进一步提出了单极结型晶体管的概念，即***所说的结型晶体管。其结构与pnp或npn双极型晶体管类似，但在p_n材料的界面存在一个耗尽层，以使栅极与源漏导电沟道之间形成一个整流接触。同时两端的半导体作为栅极。通过栅极调节源漏之间电流的大小。
4）硅晶体管
仙童半导体由一个几人的公司成长为一个拥有12000个职工的大企业。
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件。电子晶体管比较便宜
晶体管又称双极结型晶体管 ，是由电流驱动的半导体器件。佛山数字晶体管
ST微电子0.25μm SiGe BICMOS 技术中的双极性晶体管设计介绍 *
在ST微电子0.25µm SiGe BICMOS技术(B7RF)中，异质结双极晶体管(HBT)的建模是基于HICUM的。 该模型在要求高集电极电流密度的高频射频应用中特别有用。 这种紧凑和可扩展的模型比改进的Spice Gummel-Poon模型具有更高的精度，并考虑了自热效应。
典型的高压HBT的频率转换和电流增益β AC 如图1所示。 柯克效应（Kirk effect）的影响在右边灰色地方可以看到，结果产生强f T ，以及在高偏置水平下β增益的崩溃。 从物理的角度来看，这种影响是由于基极深度的增加（基/集电极结向下移动），这与载流子注入相反。
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