单结晶体管极性的判断
单结晶体管极性的判断方法常有两种，一种是从外观来看，另一种是用万用表来测量。
（1）外观判断法。从外观上看，引脚与外壳相通的电极，一般是b1极；与凸耳相靠近的电极一般为e极，如图5-8所示。
（2）万用表判断法
1）发射极e的判断
单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。测任意两个管脚的正向电阻和反向电阻，直到测得的正反向电阻都基本不变时（一般约10KΩ～30 KΩ，不同型号的管阻值有差异），这两个管脚就是两个基极，剩下的另一个管脚就是发射极e。
2）b1、b2电极的判断
在判断出发射极e的基础上，万用表量程置于R×1K挡，黑表笔发射极，红表笔分别接另外两个极，万用表两次均会导通，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是单结晶体管的b1极。
晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极比较大电流、比较大反向电压等。成都场效应晶体管
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
使用晶体管销售代理晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
对于微处理器或“片上系统” (SoC) ，在2017年，单个晶体管的价格以低于每年32％ 的速度递减。图3中，32% 适用于2017年生产的所有半导体元件的总数。然而，每个晶体管的成本是由不同种类的半导体元件组成——内存、逻辑、模拟等。从图3可以看出，半导体行业生产的分立存储器件，尤其是NAND FLASH 中的晶体管要远远多于其他类型的半导体器件。当存储器件学习曲线（主要由NAND FLASH 和DRAM 组成）与非存储器件学习曲线分开后，很明显，存储器件的单个晶体管成本和晶体管累积量的增长将远远超过非存储器件。
三极管放大原理
值得注意的是，对于三极管放大作用的理解，必须切记一点：根据能量守恒定律，能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。
晶体管的内部工作原理就是对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源，使基极-发射极间电流的数十至数百倍（因晶体管种类而异）的电流在集电极与发射极之间流动。也就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。晶体三级管的内部工作原理如下图3所示。
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。
单结晶体管电路特性
在上面的等效电路中，单结晶体管两个基极之间的电阻称作“基极电阻”，基极电阻的阻值等于***基极与发射极之间的电阻RB1和第二基极与发射极之间的电阻RB2值之和。其中，RB1的阻值随着发射极E的电流变化而变化，而RB2的阻值不受发射极电流的影响。
在两个基极之间施加一定的电压VBB，则A点电压VA=[RB1/(RB1+RB2)]VBB=(RB1/RBB)VBB=ηVBB；其中η成为分压比，其数值根据不同型号的晶体管一般在0.5到0.9之间。
当发射极电压VE>ηVBB时，发射结处于反偏状态，此时晶体管截止；
当发射极电压VE<ηVBB+二极管管压降VD时，PN结处于正向导通状态，RB1的阻值迅速减小，VE会随之下降，此时晶体管出现负阻特性，晶体管由截止进入负阻特性的临界点称为“峰点”；
随着发射极E电流的上升，发射极电压VE会不断下降，当下降到一个点之后便不再下降，这个点称为“谷点”；
单结晶体管的型号命名方式
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件。宁波单结晶体管
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。成都场效应晶体管
晶体管重要性
晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分***。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得**普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个**的元件。晶体管是半导体三极管中应用*****的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
晶体管被认为是现代历史中**伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。 成都场效应晶体管
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