限流作用的强弱调节使静止的。无接触的。非机械式的，这就为微电子技术打开了大门。所以，在工作原理上磁控软起动和晶闸管软起动是完全相同的。说磁饱和软起动能实现软停止，能够具有晶闸管软起动所具有的几乎全部功能，其原因概出于此。高压磁饱和电抗器在原理和结构上与低压（380V）磁饱和电抗器没有本质的区别，只是在某些方面需要采取一些特殊的处理罢了。磁饱和电抗器具有，这使磁控软起动的快速性比晶闸管慢一个数量级。对于电动机系统的大惯性来说，磁控软起动的惯性是不足为虑的。有人说磁控软起动不产生高次谐波，这是错误的。只要饱和。就一定会有非线性，就一定会引起高次谐波，只是磁饱和电抗器产生的高次谐波会比工作于斩波状态的晶闸管要小一些。磁控软起动装置需要有相对较大功率的辅助电源，噪声较大则是其不足之处。三、晶闸管软起动晶闸管软起动产品的问世是当今电力电子器件长足进步的结果。在很多年以前电气工程界就有人指出，晶闸管软起动将引发软起动行业的一场**。晶闸管软启动器主要性能优于液阻软起动。与液阻软起动相比，它体积小，结构紧凑，维护量小，功能齐全，菜单丰富，起动重复性好，保护周全，这些都是液阻软起动难以望其项背的。正高电气锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。MTAC450晶闸管智能模块组件
：触发脉峰值电压：≥22V触发脉峰值电流：≥3A触发脉冲前沿陡度：≥2A/μS（逆变的触发脉冲变压器是外接的）比较大外型尺寸：238×175×40mm。：控制板在检测到故障信号时，输出一组接点信号，该接点容量为AC：5A/220V：DC：10A/28V。6、电路原理整个控制电路除逆变末级触发单元外，做成一块印刷电路板结构。功能上包括电源、整流触发、调节器、逆变、启动演算等，除调节器为模拟运算电路外，其余均为数字电路。组成该控制板的集成电路为IC6，型号为MPU-2，它是一块**超大规模数字集成电路，有3路时钟输入口，31路输入/输出口，内部功能包括整流移相触发、相序自适应、逆变触发、逆变引前角锁定、逆变重复起动、过流保护、过压保护、缺相保护、水压低保护、控制板欠压保护，另外还有三个。这部分电路包括三相同步、相序自适应、压控时钟、数字触发、末级驱动等电路。三相同步信号直接由晶闸管的门极引线K4、K6、K2从主回路的三相进线上取得，由R3、C1、R7、C2、R11、C3进行滤波，再经6只光电耦合器进行电位隔离，获得6个相位互差60度的矩形波同步信号（低电平有效），输入到IC6的5P-10P。在IC6的内部有相序自适应电路，确保了中频电源的三相交流输入可以不分相序。山东MTAC600晶闸管智能模块批发正高电气的行业影响力逐年提升。
中频电压互感器过来的中频电压信号由CON2-1和CON2-2输入后，分为两路，一路由IC1A进行电平转换后送到IC6的30P，另一路经D7-D10整流后，又分为两路，一路送到电压/电流调节器，另一路送到过电压保护。由主回路交流互感器取得的电流信号，先在外部转换成电压信号，从CON2-3、CON2-4、CON2-5输入，经二极管D11-D16整流后，再分为两路，一路作为过流保护信号，另一路作为电压/电流调节器的反馈信号。本电路逆变触发部分，采用的是扫频式零压软起动，只需取一路中频电压反馈信号，无需槽路中频电容器上的电流信号，其本质上相当于它激转自激电路，属于平均值反馈电路。由于主回路上无需附加任何起动电路，不需要预充磁或预充电的起动过程，因此，主回路得以简化，调试过程简单。起动过程大致是这样的，在逆变电路起动前，先以一个高于槽路谐振频率的它激信号去触发逆变晶闸管，当电路检测到主回路开始有直流电流时，便控制它激信号的频率从高向低扫描，同时加大主回路的直流电流，当它激信号频率下降到接近槽路谐振频率时，中频电压便建立起来，并反馈到自动调频电路。自动调频电路一旦投入工作，便停止它激信号的频率往低扫描动作，转由自动调频电路控制逆变动引前角。
晶闸管智能模块的输出特性
模块的控制电压与控制角α的关系因负载性质和电路形式的不同而有所区别：
单相交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～ 180°，控制电压对应0.5V～9.5V。
单相整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～180°，控制电压对应0.5V～9.5V；感性负载时α范围为0°～90°，控制电压对应于5V～9.5V。
三相全控整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～120°，控制电压对应2V～8V；感性负载时α范围为0°～90°，控制电压对应于3.5V～8V。
三相半控整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～180°，控制电压对应0.5V～9.5V。
三相全控交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～150°，控制电压对应1.5V～9V。
三相半控交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～210°，控制电压对应0.5V～9.5V。
三相整流充放电模块逆变放电时，α有效范围为90°～180°，控制电压对应0.5V～5V；整流充电时，α有效范围为0°～90°，控制电压对应5V～9.5V。
注：交流调压模块用于感性负载时α应大于负载阻抗角Ψ，即α≥Ψ；当α≤Ψ时，模块已输出较大电压，且不再随α的改变而变化。 正高电气以质量求生存，以信誉求发展！
晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。诚挚的欢迎业界新朋老友走进正高电气！山东MTAC600晶闸管智能模块批发
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电压很容易对晶闸管模块造成损坏，那么，我们就要了解过电压保护，保护晶闸管模块，不让其受过电压损坏。要保护晶闸管，就要知道过电压是怎么产生的？从而去避免。以下是为大家列举的详细情况：晶闸管模块对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管模块就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管模块是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高。MTAC450晶闸管智能模块组件
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