晶闸管模块的类型
晶闸管模块通常被称之为功率半导体模块，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
根据封装工艺的不同，晶闸管模块可分为焊接型和压型两种。
晶闸管模块可分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX）；普通整流模块（MDC）；普通晶闸管、整流混合模块（MFC）；快速晶闸管、整流混合模块（MKC\MZC）；非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（通常称为电焊机**模块MTG\MDG）；三相整流桥输出晶闸管模块（MDS）；单相（三相）整流桥模块（MDQ）；单相半控桥（三相全控桥）模块（MTS）。 正高电气企业价值观：以人为本，顾客满意，沟通合作，互惠互利。德州晶闸管模块生产厂家
晶闸管模块电流规格的选取
1、根据负载性质及负载额定电流进行选取
（1）电阻负载的较大电流应是负载额定电流的2倍。
（2）感性负载的较大电流应为额定负载电流的3倍。
（3）负载电流变化较大时，电流倍数适当增大。
（4）在运行过程中，负载的实际工作电流不应超过模块的较大电流。
2、散热器风机的选用
模块正常工作时必须配备散热器和风机，推荐采用厂家配套的散热器和风机。如果用户是自己提供的，则使用以下原则来选择：
（1）模块正常工作时，必须能保证冷却底板温度不超过75℃；
（2）当模块负载较轻时，可减小散热器的尺寸或采用自然冷却；
（3） 有水冷条件的，应优先水冷散热 。
3、使用要求
（1）工作场所环境温度范围：-25℃～+45℃；
（2）模块周围需要干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。
（3）模块电极上的铜线严禁不用端子直接压接，以免接触不良引起附加发热。
（4）应经常测量固体继电器导热衬底侧或固态继电器附近散热器的表面温度，测点温度应小于80℃。 德州晶闸管模块生产厂家正高电气建立双方共赢的伙伴关系是我们孜孜不断的追求。
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间比较大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的比较大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。
)=174A-232A显然，通过以上的计算对于采用双反星型并联电路的ZX5-630；NBK-630；WSM-630焊机应选择MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模块。比较好选MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模块.当然，焊机可靠长期正常工作除了与模块正确选型有关外，与以下因素还有一定的关系：²焊机暂载率即额定负荷工作持续率（FS）：根据焊机行业标准此类焊机暂载率一般为：35%；60%；。其定义如下：暂载率FS=负载满负荷持续运行时间（t）/[负载满负荷持续运行时间+休止时间]x=t/Tx上式中T为焊机的工作周期，它是负荷持续运行和休止时间之和。我国焊机行业规定，手工氩弧焊时T为5分钟；自动氩弧焊时T为10分钟；即工作6分钟，休息4分钟。²散热条件：以上计算均是在假设散热条件足够的情况下考虑的。如果散热条件发生变化，对模块的选型要求可适当增大或减小。l其它线路焊机对模块的选型：对于使用在三相半控全桥整流线路中的模块MTY；MDG，如下图，对器件通流能力要求更高，同等输出电流的情况下，该线路中的器件通过的电流是双反星并联线路中的两倍；但对耐压的要求低一倍。实例：已知条件：Id=630A;空载电压:100V1、器件耐压（VRRM。正高电气多方位满足不同层次的消费需求。
3）换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的，所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后，出现换相振荡过电压，它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压，其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高，换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因，可以采取不同的方法，如减少过电压源，并使过电压幅值衰减；过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径；采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。（4）阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率，因此常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路比较好选用无感电容，接线应尽量短。。5）由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。德州晶闸管模块生产厂家
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它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极。德州晶闸管模块生产厂家
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