半导体三极管
1半导体三极管的结构.
半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中**常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用
定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类
晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域
集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,
2半导体三极管的电流分配及放大作用
一、三极管的放大作用
1.外部条件:发射结正偏,集电结反偏
2.内部条件:基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度
3.IE、IB、Ic之间关系':IE=IB+Ic.
发射结正向偏置、使电结反向偏置。
稳压二极管是很多电路中,低电流供电时使用比较多的方案。山东三极管
半导体三极管的好坏检测
a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.
d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.
稳压二极管与普通整流二极管的区分 *
首先利用万用表R×1K挡,按把被测管的正、负电极判断出来。然后将万用表拨至R×10K挡上,黑表笔接被测管的负极,肖特基二极管接法,红表笔接被测管的正极,若此时测得的反向电阻值比用R×1K挡测量的反向电阻小很多,说明被测管为稳压管;反之,如果测得的反向电阻值仍很大,说明该管为整流二极管或检波二极管。
稳压二极管
不重复大浪涌电流
1N4007的定义:毫秒30A
MDD95的定义:10毫秒2800A,毫秒3300A
二者定义的电流都是有效值。从MDD95的定义可以看出,肖特基二极管厂商,时间越短,允许浪涌电流越大。这是普遍规律。
稳压二极管是很多电路中,低电流供电时使用比较多的方案。因为其成本低,只需与电阻组合,就能够实现基本的稳压电路。虽然它的稳压精度无法做到太高,但是在很多要求不高的电路中,还是比较合适的。
稳压二极管的稳压原理
稳压二极管也叫做齐纳二极管,它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性,但是这种二极管的反向电压超过一定值的时候,会出现击穿的现象,并且这种击穿是软击穿,并不会对二极管造成损坏。稳压二极管的稳压作用,就是利用了它的反向击穿作用。稳压二极管内部也是由PN结构成的,PN结在反向击穿时,电流在一定范围内变化时,电压会基本保持不变。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
6))瞬态电压***器TVS
一种固态二极管,专门用于ESD 保护。TVS 二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿。
7)发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
8)肖特基二极管
基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管。气体管品牌企业
按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。山东三极管
二极管的特性
通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
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