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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机


三极管各区的工作条件:


1.放大区:发射结正偏,集电结反偏:


2.饱和区:发射结正偏,集电结正偏;


3.截止区:发射结反偏,集电结反偏。


11、半导体三极管的好坏检测


a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位


b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:


红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.


c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:


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二极管的特性


通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1. 正向特性。

在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。

2. 反向特性。

在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。


MOS二极管硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。

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特殊二极管


稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作,即击穿后电压有微小的增加时,击穿电流增加巨大这一特性,使得当电路中电流有波动时,稳压管两端的电压基本不变。


稳压管是否被反向击穿,可以借用二极管是否导通的方法来判断,即先断开稳压管,然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压,且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压,则接入稳压管后稳压管反向击穿,两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大,超过了稳压管的承受能力,时间一长将烧坏稳压管。


使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿,还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿,然后计算其电流,判断是否处于这个安全范围。若是,则假设成立,不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。


半导体三极管


1半导体三极管的结构.


半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中最常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用


定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类


晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域


集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,

2半导体三极管的电流分配及放大作用


一、三极管的放大作用


1.外部条件:发射结正偏,集电结反偏


2.内部条件:基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度


3.IE、IB、Ic之间关系':IE=IB+Ic.

发射结正向偏置、使电结反向偏置。



正、反向电阻值的测量 用万用表R×1k或R×10k档,测量双向触发二极管正、反向电阻值。

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三极管的介绍及用途如下   *

三极管的介绍:


三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。


三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的**元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。


若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。超快恢复二极管比较便宜

其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属绝缘体半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基二极管哪种好

红外发光二极管的检测


  1.正、负极性的判别 红外发光二极管多采用透明树脂封装,管心下部有一个浅盘,管内电极宽大的为负极,而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常,靠近管身侧向小平面的电极为负极,另一端引脚为正极。长引脚为正极,短引脚为负极。


  2.性能好坏的测量 用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻大于500kΩ(用R×10k档测量,反向电阻大于200 kΩ)。若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ,则说明该二极管已漏电损坏。


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