TVS1.5KE100A反向电压电流曲线
1N5404是一款**率整流二极管，正向平均电流3A，反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线：
1N5404整流二极管反向电压电流曲线
肖特基二极管前向导通电压比较低，用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。
1N5817是一款整流肖特二极管，数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升，随着电流增加，反向电压反而下降，呈现明显的复阻抗特性。
稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的，如果输入的电压没有超过其稳压值。晶体二极管供应
8、变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：
（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。
（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。
LED发光二极管比较便宜目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写：Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
对二极管和三极管极限施压会如何？ *
变化和不确定是世界的主旋律，因此在工程设计中需要在很多指标上留有余量。比如在电路设计中，器件的比较高承受的电压、电流、消耗功率、工作环境温度、湿度等指标需要根据实际电路留有一定的余量。
这个余量既不能够太多，否则就会带来器件在尺寸、价格上的猛增；也不能够太小，或者没有，这样就会使得设备寿命、可靠性大打折扣。
手边有一台简易高压发生器，可以产生0~4000V的直流电压，因此可以获得常见电子器件的承受高压下电流曲线。了解到电子器件数据手册耐压数值与其实际耐压，以及器件在高压击穿下的变化，可以帮助更加合理选择设备耐压数值。
稳压二极管是很多电路中，低电流供电时使用比较多的方案。
半导体三极管
1半导体三极管的结构.
半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管)，是电子线路中**常用的半导体器件，它在电路中主要起放大和电子开关作用
定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类
晶体三极管有集电区，基区和发射区三个区域
集电区与基区之间的PN结称为集电结，基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向，
2半导体三极管的电流分配及放大作用
一、三极管的放大作用
1.外部条件：发射结正偏，集电结反偏
2.内部条件：基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度
3.IE、IB、Ic之间关系＇：IE＝IB+Ic.
发射结正向偏置、使电结反向偏置。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右。场效应管
从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出，它的正向特性与普通二极管是一致的，反向特性。晶体二极管供应
其他光敏二极管的检测
1．电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损坏。
再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源，然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时，正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。
2．电压测量法 将万用表置于1V直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有电压（其电压与光照强度成正比）。
3．电流测量法 将万用表置于50μA或500μA电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极，正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加，其电流从几微安增大至几百微安。
晶体二极管供应
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