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管基本参数
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  • 深圳
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二极管的特性


通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1. 正向特性。

在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。

2. 反向特性。

在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。


肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。放电管

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半导体三极管


1半导体三极管的结构.


半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中最常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用


定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类


晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域


集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,

2半导体三极管的电流分配及放大作用


一、三极管的放大作用


1.外部条件:发射结正偏,集电结反偏


2.内部条件:基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度


3.IE、IB、Ic之间关系':IE=IB+Ic.

发射结正向偏置、使电结反向偏置。



开关二极管由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制。

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MOS管


现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异,N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。


IXFK38N80是一款大功率MOS管,称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为:击穿电压Vds = 800V,工作电流:38A。



下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线,它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。


IXFK38N80击穿电压电流曲线


通常情况下,MOS管耐压越高,导通电阻就越大,使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合,就形成IGBT功率管,它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。


G40N60是手边的一款IGBT,手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。


G40N60击穿电压电流曲线


IGBT中由于存在双极性三极管,它是利用少数载流子完成电流导通,所以IGBT的截止时间较长,无法工作在高频电路中。


近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题,在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。


C2M008012是一款碳化硅MOS管,在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。


C2M008012碳化硅MOS管



但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题,主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。



场效应管(MOS管)


1、场效应管英文缩写:FET(Field-effecttransistor)


2、场效应管分类:结型场效应管和绝缘栅型场效应管


3、场效应管电路符号:


4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)


注:场效应管属于电压控制型元件,又利用多子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪声小,功耗低,无二次击穿现象等优点。


正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。

5、场效应晶体管的优点:具有较高输入电阻高、输入电流低于零,几乎不要向信号源吸取电流,在在基极注入电流的大小,直接影响集电极电流的大小,利用输出电流控制输出电源的半导体。
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稳压二极管的基本知识


a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。


b、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。


c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表:


型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761


稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V



并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。变容二极管批发

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管.放电管

其他光敏二极管的检测


  1.电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口,然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则是该光敏二极管漏电或开路损坏。


  再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源,然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大,说明该光敏二极管的灵敏度越高。


  2.电压测量法 将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有电压(其电压与光照强度成正比)。


  3.电流测量法 将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,正常的光敏二极管在白炽灯光下,随着光照强度的增加,其电流从几微安增大至几百微安。


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深圳市凯轩业科技有限公司创立于2015-10-12,是一家贸易型公司。公司业务涵盖[ "二三极管", "晶体管", "保险丝", "电阻电容" ]等,价格合理,品质有保证。公司秉持诚信为本的经营理念,在电子元器件深耕多年,以技术为先导,以自主产品为核心,发挥人才优势,打造电子元器件优质品牌。在社会各界的鼎力支持下,经过公司所有人员的努力,公司自2015-10-12成立以来,年营业额达到200-300万元。

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