光敏三极管

三极管可以并联使用以扩大电流容量，也可以组成达林顿管的形式来提高三极管的增益。

DB681是一款NPN型的达林顿管，它是由两个NPN三极管组成，***个三极管的发射极连接到第二级三极管的基极。其中还集成有两个三极管的Rbe电阻。它的耐压为：Vceo=100V。

BD681达林顿三极管

下面是测量BD681的C、E之间的击穿电压电流曲线，可以看到这款达林顿三极管的实际Vceo为190V。

NPN型达林顿三极管BD681的C、E击穿电压电流曲线

DB682是一款PNP型号达林顿管，通常与BD681组成互补桥电路功率输出。它的C、E之间的击穿电压电流曲线如下图所示：

PNP型达林顿三极管BD682C、E击穿电压电流曲线

在这里的电阻主要起到两个作用：一个是提供稳压二极管的工作电流，另一个是限制稳压二极管的比较大电流。光敏三极管

1N5817肖特基二极管反压电流曲线

STPS3H100V 是另外一款反向电压较大的肖特基整流二极管。数据手册表明的反向电压大于100V，正向整流电流3A，电压0.327V。下图是它的反向电压电流曲线：

STPS3H100V高压肖特基二极管的反向电压电流曲线

发光二极管基本上不会工作在反向电压下。它们的反向耐压随着不同颜色而不同。下面是对几种不同颜色的LED的反向耐压进行测量结果。可以看到，蓝色LED反向耐压比较低，红色，橘黄色LED的反向耐压很高。

可变三极管制造商也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接。

三极管

三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值：

（1）Vceo：在集极开路的情况下，集电极和发射极之间的击穿电压；

（2）Vcbo:  在发射极开路的情况下，集电极和基极之间的击穿电压；

（3）Vebo: 在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的击穿电压；

三极管的三个反向击穿电压

虽然在形式上，三极管看似为两个反向的二极管串联，但在工艺上，三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同，使得上面三个反向击穿电压不同，通常情况下它们之间的关系为：

Vcbo>Vceo>>Vebo

肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode)        它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

稳压二极管是很多电路中，低电流供电时使用比较多的方案。因为其成本低，只需与电阻组合，就能够实现基本的稳压电路。虽然它的稳压精度无法做到太高，但是在很多要求不高的电路中，还是比较合适的。

稳压二极管的稳压原理

稳压二极管也叫做齐纳二极管，它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性，但是这种二极管的反向电压超过一定值的时候，会出现击穿的现象，并且这种击穿是软击穿，并不会对二极管造成损坏。稳压二极管的稳压作用，就是利用了它的反向击穿作用。稳压二极管内部也是由PN结构成的，PN结在反向击穿时，电流在一定范围内变化时，电压会基本保持不变。

将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，再测出一个结果。惠州肖特基二极管

从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出，它的正向特性与普通二极管是一致的，反向特性。光敏三极管

三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。

  三极管是一种电流控制电流的半导体器件，具有电流放大、用作开关、代换等多种作用，现已***存在于各电路中。

TVS的钳位特性

  TVS属限压型浪涌保护器件，能对过电压起钳位作用，将浪涌电压限制在安全耐压范围内，从而保护后面的负载电路。根据电路的基本理论，按照环路电压分析法，从图2可以看出，电路的输出电压Voutput可由式（1）得到：

  若设浪涌电压Vg为8 kV,Rg为330 Ω，RS为 Ω，TVS的VBR为6 V,则i≈24 A,那么由式（1）得Voutput=10 V.

光敏三极管

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