一、MOS管
MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。
NMOS管的原理图示
它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。
刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。
将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，再测出一个结果。整流二极管联系方式
TO-252封装尺寸图
电气特性方面，关于***比较大额定值，六款二极管的反向重复峰值电压均为400v、600v、800v , 反向电压均为400v、600v、800v. 平均整流输出电流为5A/10A， 运行结温均为150℃，储存温度均为-55℃~+150℃。正向不重复峰值电流(浪涌电流)不同。
六款直插超快速恢复二极管的产品特性：
. 低开关损耗
. 低正向电压
. 高电流过载能力
六款直插超快速恢复二极管的结构：
. 硅外延平面型
. 玻璃钝化PN结型
六款超快速恢复二极管替代传统直插DO-27封装的应用:通用的整流应用
中山晶体二极管TO-252封装的超快速恢复二极管!
高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
稳压二极管与普通整流二极管的区分 *
首先利用万用表R×1K挡，按把被测管的正、负电极判断出来。然后将万用表拨至R×10K挡上，黑表笔接被测管的负极，肖特基二极管接法，红表笔接被测管的正极，若此时测得的反向电阻值比用R×1K挡测量的反向电阻小很多，说明被测管为稳压管;反之，如果测得的反向电阻值仍很大，说明该管为整流二极管或检波二极管。
稳压二极管
不重复大浪涌电流
1N4007的定义：毫秒30A
MDD95的定义：10毫秒2800A，毫秒3300A
二者定义的电流都是有效值。从MDD95的定义可以看出，肖特基二极管厂商，时间越短，允许浪涌电流越大。这是普遍规律。
变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被***地用于参量放大器.
利用TVS的钳位特性，将8 kV危险浪涌电压削减到10 V的安全电压。需要注意的是，以上电路应满足Rggt;RS RLoadgt;RS这一条件。
TVS在TN电源系统的应用
雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部，造成电气电子设备失效、误动作，甚至造成设备的损坏，造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值，其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV 和TVS,实施两级保护，并对L、N 线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV 作为第1级SPD保护，泄放大部分雷电流，在线路的末端（设备前端）安装大功率TVS作为第二级SPD保护，进一步削弱过电压波幅值，将电网电压降至E/I安全耐压范围之内，如图3所示。要注意的是，MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合，AB之间的线路长度不应小于5 m,否则应增加线路长度或安装退耦器件。
反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。TVS二极管品牌企业
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。整流二极管联系方式
半导体二极管
1、英文缩写：D (Diode)，电路符号是
2、半导体二极管的分类
分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管；
b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:
a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.
B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.
5、半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
整流二极管联系方式
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