成都MOS二极管

二极管、三极管、场效应管都是半导体器件，在电子电路中担任着十分重要的作用，现在我来和朋友们聊聊它们之间的联系和区别吧。

场效应管（MOS管）

我先说说MOS（场效应管）管，MOS管在半导体基片的两侧也是有两个PN结。从P型（或者N型）半导体上面引出一个电极并将这个电极连接起来作为MOS管的栅极（G）。然后在基片的两端再引出两个电极分别称为源极（S）和漏极（D）。如下图所表示的那样。从图中我们可以知道，栅极（G）和源极（S）和漏极（D）是不导电的，所以我们给它起个名字就叫绝缘栅型场效应管，这个器件的名字就是这样的来的。

稳压二极管也叫做齐纳二极管，它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性。成都MOS二极管

由于浪涌电流会使二极管在很短的时间内产生大量热，结温快速上升，长治肖特基二极管，在器件内部产生机械应力，因此对于大功率二极管模块而言，机械应力容易造成芯片与绝缘基板开裂，浪涌电流要留有足够的余量。

   晶体三极管有几种型号呢

检测晶体三极管时，选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡，并进行调零校正。

  将万用表的黑表表笔搭在假设的基极(b)引脚处，红表笔分别接集电极(c)和发射极（e）引脚处。

  观察万用表的读数。若测得的两个阻值均为低阻值则黑表笔所接引脚为基极，待测的晶体三极管为NPN型；若测得的阻值为高阻值（约为无穷大），则待测的晶体三极管为PNP型。

开关二极管供应在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管.

9、稳压二极管的基本知识

a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。

c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：

型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761

稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V

二极管的主要参数

二极管是非线性元件，二极管具有单向导电性

1.比较大整流电流IF。

是指二极管长时间连续使用时，允许通过的比较大正向平均电流

2.反向击穿电压VBR和比较大反向工作电压VRM

反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值

3反向饱和电流IR

指没有发生反向击穿时的反向电流值，反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好，其大小受温度影响较大。

4比较高工作效率

指二极管所能承受的比较高频率，主要由N结的结电容大小决定二极管的性能

通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

对二极管和三极管极限施压会如何？    *

变化和不确定是世界的主旋律，因此在工程设计中需要在很多指标上留有余量。比如在电路设计中，器件的比较高承受的电压、电流、消耗功率、工作环境温度、湿度等指标需要根据实际电路留有一定的余量。

这个余量既不能够太多，否则就会带来器件在尺寸、价格上的猛增；也不能够太小，或者没有，这样就会使得设备寿命、可靠性大打折扣。

手边有一台简易高压发生器，可以产生0~4000V的直流电压，因此可以获得常见电子器件的承受高压下电流曲线。了解到电子器件数据手册耐压数值与其实际耐压，以及器件在高压击穿下的变化，可以帮助更加合理选择设备耐压数值。

肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。四川肖特基二极管

由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响*为RC时间常数限制。成都MOS二极管

MOS管

现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异，N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。

IXFK38N80是一款大功率MOS管，称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为：击穿电压Vds = 800V，工作电流：38A。

下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线，它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。

IXFK38N80击穿电压电流曲线

通常情况下，MOS管耐压越高，导通电阻就越大，使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。

G40N60是手边的一款IGBT，手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。

G40N60击穿电压电流曲线

IGBT中由于存在双极性三极管，它是利用少数载流子完成电流导通，所以IGBT的截止时间较长，无法工作在高频电路中。

近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题，在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。

C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。

C2M008012碳化硅MOS管

但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题，主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。

成都MOS二极管

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