半导体二极管
1、英文缩写：D (Diode)，电路符号是
2、半导体二极管的分类
分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管；
b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:
a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.
B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.
5、半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。激光二极管采购
二极管的主要参数
二极管是非线性元件，二极管具有单向导电性
1.比较大整流电流IF。
是指二极管长时间连续使用时，允许通过的比较大正向平均电流
2.反向击穿电压VBR和比较大反向工作电压VRM
反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值
3反向饱和电流IR
指没有发生反向击穿时的反向电流值，反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好，其大小受温度影响较大。
4比较高工作效率
指二极管所能承受的比较高频率，主要由N结的结电容大小决定二极管的性能
可变三极管供应普通二极管的检测 （包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）。
电路中，用字母VT表示三极管，图形符号中的箭头表示发射结导通时的电流方向。由于PN结导通时，电流从P区流向N区，因此，NPN型箭头向外，PNP型箭头向里。
了解了三极管的结构，那它是怎样放大信号的呢？
下面来看三极管的工作特性。
俗话说：人往高处走，水往低处流。电流和水流类似，从高电位流向低电位。
如果用水流类比电流，那么三极管就类似于一个T形水管，水管的三个口相当于三极管的三个极，对应集电极和基极位置上有控制出水量大小的联动阀门。小阀门靠水流冲击打开，大阀门在联动杆的带动下动作，三个极的电流就相当于水管三个口流过的水流。
半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写：Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接。
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
稳压二极管是很多电路中，低电流供电时使用比较多的方案。MOS二极管代理销售价格
确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。激光二极管采购
肖特基二极管的检测
二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。
三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
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