肖特基二极管(Schottky Diodes): 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降(至);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降*左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用常见的DO-41 DO-15 DO-27 TO-220封装形式,贴片的则有SOD123 S0D323 SMA SMB SMC SMAF SMBF SMCF等封装形式。若稳压二极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。触发二极管代理销售价格
从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出,它的正向特性与普通二极管是一致的,反向特性,当低于它的击穿电压时,也与普通二极管的特性相类似,处于截止,但是当超过击穿电压时电流会迅速变化,但是电压会保持在一个很小的区间范围内。基本的二极管稳压电路,就是通过与负载反向并联,保持工作电压稳定的。
稳压二极管的使用
稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的,如果输入的电压没有超过其稳压值,它是不导通的,如果超过它的稳压值,它会击穿导通。一般来讲,输入的电压都是超过其稳压值的,在实际使用时,就需要通过电阻与其串联,去承担高于稳压值的这部分电压。
10、半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为0.6-0.8V;锗管的导通电压为0.2-0.3V),而工程分析时通常采用的是0.7V.
11、半导体二极管的伏安特性曲线:(通过二极管的电流I与其两端电压U的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。)见图三.
图三 硅和锗管的伏安特性曲线
12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。
半导体二极管
1、英文缩写:D (Diode),电路符号是
2、半导体二极管的分类
分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;
b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:
a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.
B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.
5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
一、半导体二极管
1、英文缩写:D (Diode),电路符号是
2、半导体二极管的分类
分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;
b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。
3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。
4、半导体二极管的导通电压是:
a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.
B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.
5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
7、半导体二极管的识别方法:
根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管.恒流二极管直销
肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。触发二极管代理销售价格
高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值,正常的高频变阻二极管的正向电阻值(黑表笔接正极时)为Ω,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明被测变阻二极管已损坏。
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