导体三极管的主要参数
a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。
b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。
c;极限参数：反向击穿电压，集电极比较大允许电流、集电极比较大允许功率损耗。
6、半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。
a;半导体三极管的三种基本的放大电路。
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。发光二极管厂家
3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
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tvs二极管作用 *
TVS的电容量由其芯片的面积和偏置电压来确定，其偏置电压与电容值C 成反比。在应用中要根据电路持性选择合适的电容范围，电容大会使信号损失，对信号起调制作用，引起干扰。
反向漏电流ID
当额定反向工作电压VWM 加于TVS两极时，TVS处于反向关断状态，流过TVS 的电流称为反向漏电流，ID值应小于或等于其**da反向漏电流。
tvs二极管
由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，tvs二极管应用，已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)，RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰***、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的***等各个领域。
一、MOS管
MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。
NMOS管的原理图示
它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。
刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。
稳压二极管是很多电路中，低电流供电时使用比较多的方案。
9、稳压二极管的基本知识
a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：
型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N47501N4751 1N4761
稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。大功率二极管采购
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管.发光二极管厂家
二极管
二极管是常见到的单向导通的半导体器件，通常用于信号的整流、检波、电路钳位等。如果反向电压超过其耐压就会引起器件击穿。如果没有限流二极管则会由于功率上升而烧毁。
1N4005硅二极管
1N 400X系列的二极管是常用在信号整流的二极管。数据手册给定的反向击穿电压分别为：
1N4001: 50V；1N4002: 100V；
1N4003：200V；1N4004:400V；
1N4005：600V；4N1006:800V；
1N4007:1000V
下面分别测量手边1N4001，1N4007反向电压-电流曲线。
1N4001二极管反向电压超过200V时，反相电流急剧上升。并且随着反相电流的增加，电压出现复杂变化的情况。
1N4001反向电压电流曲线
1N4007的反向电流电流曲线呈现单调上升的趋势，当反向电压超过1650V的时候，二极管击穿。
1N4007反向电压电流曲线
根据1N4001,1N4007反向击穿电压测试结果可以看出实际器件耐压都比数据手册数值高。由于半导体器件的参数具有很大的离散性，器件实际耐压比数据手册高是为了保证在**坏的情况下仍然能够满足电路的工作电压。
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