三极管有三个区域，发射区和集电区是同一个类型，而中间的基区是另外一个类型。
发射区发射电荷，集电区收集电荷，基区用于控制发射和收集电荷的数量，即电流大小。
以NPN为例，发射区的电荷（自由电子）要想到达集电区，需要穿过两个PN结：发射结和集电结。在发射区，自由电子是多子，所以需要在发射结上加正偏电压，让PN结消失，作为多子扩散到基区。
到达基区后，极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流，从基极流出（电流方向是从基极流入），但基区空穴极少，故大部分电荷没有复合的机会，堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子（但是***数量较多，基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子），需要在集电结反偏时，作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压，而集电结加反偏电压。
发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目，也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目，极电流的大小。
集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。
正、反向电阻值的测量 用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。PNP三极管
肖特基二极管(Schottky Diodes)： 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（至）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降*左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用常见的DO-41 DO-15 DO-27 TO-220封装形式，贴片的则有SOD123 S0D323 SMA SMB SMC SMAF SMBF SMCF等封装形式。三极管哪个厂家质量好根据其不同用途，可分为隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
通俗易懂的三极管工作原理 *
1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。
2、晶体三极管的工作原理。
其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V)；（b）在C极和E极之间施加反向电压（此电压应比eb间电压较高）；（c）若要取得输出必须施加负载。
肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响*为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
半导体三极管的好坏检测
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.
d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.
TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品.PNP三极管
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
PNP三极管
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