高压硅堆的检测
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
稳压二极管也叫做齐纳二极管，它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性。绵阳晶体二极管
快恢复二极管：有的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
贴片稳压二极管出厂价格也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。
3）开关二极管
在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
4) 稳压二极管
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在 电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。
5）变容二极管
变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被***地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。
一：二极管的分类
1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
1） 整流二极管
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。
2）检波二极管
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
特殊二极管
稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作，即击穿后电压有微小的增加时，击穿电流增加巨大这一特性，使得当电路中电流有波动时，稳压管两端的电压基本不变。
稳压管是否被反向击穿，可以借用二极管是否导通的方法来判断，即先断开稳压管，然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压，且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压，则接入稳压管后稳压管反向击穿，两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大，超过了稳压管的承受能力，时间一长将烧坏稳压管。
使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿，还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿，然后计算其电流，判断是否处于这个安全范围。若是，则假设成立，不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。
可以根据负载的情况选择接近的稳压值，比如5V的负载可以选择的稳压二极管。绵阳晶体二极管
其他光敏二极管的检测
1．电阻测量法 用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损坏。
再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源，然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时，正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。
2．电压测量法 将万用表置于1V直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有电压（其电压与光照强度成正比）。
3．电流测量法 将万用表置于50μA或500μA电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极，正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加，其电流从几微安增大至几百微安。
绵阳晶体二极管
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