TO-252封装的超快速恢复二极管
MUR540、MUR560、MUR580平均整流输出电流为5A，反向重复峰值电压为400v、600v、800v。 MUR1040、MUR1060、MUR1080平均整流输出电流为10A，反向重复峰值电压为400v、600v、800v。六款超快速恢复二极管，均采用TO-252封装，适用于各种整流应用。
封装TO-252属于贴片式背带散热片，该产品可以较好的替代传统直插DO-27封装，减少了传统直插带来的人工成本及再加工成型带来的压力损伤等因素，具有效率更高、产品稳定性能更佳、空间占用小等优势。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。TSS二极管比较便宜
一、MOS管
MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。
NMOS管的原理图示
它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。
刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。
贴片三极管哪种好稳压二极管在参数选择时，首先需要确定稳压值，这个与负载电路有关。
TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同，外形也与普通二极管无异，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度(高达1/(10^12)秒)使其阻抗骤然降低，三明tvs二极管，同时吸收一个大电流，tvs二极管作用，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话，tvs二极管供应商，TVS有二极管类，和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势，***用于手机，LCD模组，及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加，来作为静电防护的主要手段之一。
肖特基二极管的检测
二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。
三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。
变阻二极管的检测
用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
三极管
三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值：
（1）Vceo：在集极开路的情况下，集电极和发射极之间的击穿电压；
（2）Vcbo: 在发射极开路的情况下，集电极和基极之间的击穿电压；
（3）Vebo: 在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的击穿电压；
三极管的三个反向击穿电压
虽然在形式上，三极管看似为两个反向的二极管串联，但在工艺上，三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同，使得上面三个反向击穿电压不同，通常情况下它们之间的关系为：
Vcbo>Vceo>>Vebo
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。四川二极管
肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。TSS二极管比较便宜
肖特基二极管(Schottky Diodes)： 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（至）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降*左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用常见的DO-41 DO-15 DO-27 TO-220封装形式，贴片的则有SOD123 S0D323 SMA SMB SMC SMAF SMBF SMCF等封装形式。TSS二极管比较便宜
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