肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低()、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。江门晶体二极管
特殊二极管
稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作,即击穿后电压有微小的增加时,击穿电流增加巨大这一特性,使得当电路中电流有波动时,稳压管两端的电压基本不变。
稳压管是否被反向击穿,可以借用二极管是否导通的方法来判断,即先断开稳压管,然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压,且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压,则接入稳压管后稳压管反向击穿,两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大,超过了稳压管的承受能力,时间一长将烧坏稳压管。
使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿,还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿,然后计算其电流,判断是否处于这个安全范围。若是,则假设成立,不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。
稳压二极管在参数选择时,首先需要确定稳压值,这个与负载电路有关,由于稳压二极管并不是每个电压值都有,并且稳压值会存在一定的离散性,所以在选择稳压值时,可以根据负载的情况选择接近的稳压值,比如5V的负载可以选择的稳压二极管。
确定了稳压二极管的稳压值之后,需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用:一个是提供稳压二极管的工作电流,另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时,无法起到正常的稳压作用,过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值,需要首先确定两个值,一个是输入的电压范围,另一个是负载电流的变化范围,还有另外的两个参数**小电流以及比较大电流,这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。
假设输入电压的范围为15V-18V,负载电流变化范围为5-15mA,输出稳压值为12V,稳压二极管的**小电流为,比较大电流为50mA。
根据公式计算:(18V-12V)/(50mA+5mA)
以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数,应该特别主要的是,稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的,这样在输入电压超过其稳压值时,不但不会起到稳压作用,还会引起发热损坏。
二极管的特性
通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
稳压二极管在参数选择时,首先需要确定稳压值,这个与负载电路有关。
变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:
(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。
(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。
肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。PNP三极管现货
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。江门晶体二极管
半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写:Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
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