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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
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稳压二极管


高重复峰值反向电压(耐压)及大反向电流


  这两个技术参数有一定的关联,放在一起说。


  电源中整流桥的损坏常常是耐压问题,如何通过检验对二极管的耐压品质作出判断呢?这是提高产品可靠性的关键。


  二极管的反向特性曲线必须是硬特性,软特性的二极管反向漏电流必然大,这种情况造成的损坏表现是PCB板变色,烧焦。


  检验反向耐压的一致性。如果抽检一批二极管,虽然全部达到要求,肖特基二极管极性,耐压值的离散性大于20%,厦门肖特基二极管,在长期使用时就可能有问题。



其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属绝缘体半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。电路二极管出厂价格

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高温反偏试验:抽检,施加80%的反向额定电压(DC),150℃,肖特基二极管电路,96小时。这个试验是对二极管耐压的严厉的考验,如果通过,其耐压品质堪称1流。如果降低要求,施加70%的反向额定电压,其他不变。


稳压二极管


普通二极管与稳压二极管的区分方法。先将万用表置R×1k档,按前述方法测出二极管的正、负极;然后将黑表笔接被测二极管负极,红表笔接二极管正极,此时所测为PN结反向电阻,阻值很大,表针不偏转。然后将万用表转换到R×10k档,此时表针如果向右偏转一定角度,说明被测二极管是稳压二极管;若表针不偏转,说明被测二极管可能不是稳压二极管(说明:以上方法*适于测量稳压值低于万用表 R×10k档电池电压的稳压二极管)。


1N5822 二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。

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二极管、三极管、场效应管都是半导体器件,在电子电路中担任着十分重要的作用,现在我来和朋友们聊聊它们之间的联系和区别吧。

场效应管(MOS管)

我先说说MOS(场效应管)管,MOS管在半导体基片的两侧也是有两个PN结。从P型(或者N型)半导体上面引出一个电极并将这个电极连接起来作为MOS管的栅极(G)。然后在基片的两端再引出两个电极分别称为源极(S)和漏极(D)。如下图所表示的那样。从图中我们可以知道,栅极(G)和源极(S)和漏极(D)是不导电的,所以我们给它起个名字就叫绝缘栅型场效应管,这个器件的名字就是这样的来的。



双基极二极管的检测


  1.电极的判别 将万用表置于R×1k档,用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值,会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ,这两个电极即是基极B1和基极B2,另一个电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E,用红表笔依次去接触另外两个电极,一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中,红表笔接的是基极B2,另一个电极即是基极B1。


  2.性能好坏的判断 双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表R×1k档,将黑表笔接发射极E,红表笔依次接两个基极(B1和B2),正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E,黑表笔依次接两个基极,正常时阻值为无穷大。


  双基极二极管两个基极(B1和B2)之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内,若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时,则说明该二极管已损坏。


在这里的电阻主要起到两个作用:一个是提供稳压二极管的工作电流,另一个是限制稳压二极管的比较大电流。

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半导体三极管


1半导体三极管的结构.


半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中**常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用


定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类


晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域


集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,

2半导体三极管的电流分配及放大作用


一、三极管的放大作用


1.外部条件:发射结正偏,集电结反偏


2.内部条件:基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度


3.IE、IB、Ic之间关系':IE=IB+Ic.

发射结正向偏置、使电结反向偏置。



肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管。S9014三极管联系方式

肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。电路二极管出厂价格

10、半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为0.6-0.8V;锗管的导通电压为0.2-0.3V),而工程分析时通常采用的是0.7V.


11、半导体二极管的伏安特性曲线:(通过二极管的电流I与其两端电压U的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。)见图三.



图三 硅和锗管的伏安特性曲线


12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。


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