广东晶体二极管

8550参数是一款PNP型的三极管，它的数据手册给出的各极性击穿电压为：

Vcbo:40V；Vceo:25V；Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。

8550的不同极之间的击穿电压曲线

C1815是一款NPN型双极型三极管，数据手册给出的耐压数据为：Vcbo:60V; Vceo:50V；Vebo: 5V。下面是对应的测量耐压曲线。

C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线

2SC2383是NPN型**率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为：

Vcbo:160V；Vceo: 160V；Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线：

2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线

如果三极管的耐压不够，往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件，串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。

按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。广东晶体二极管

三极管有三个区域，发射区和集电区是同一个类型，而中间的基区是另外一个类型。

发射区发射电荷，集电区收集电荷，基区用于控制发射和收集电荷的数量，即电流大小。

以NPN为例，发射区的电荷（自由电子）要想到达集电区，需要穿过两个PN结：发射结和集电结。在发射区，自由电子是多子，所以需要在发射结上加正偏电压，让PN结消失，作为多子扩散到基区。

到达基区后，极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流，从基极流出（电流方向是从基极流入），但基区空穴极少，故大部分电荷没有复合的机会，堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子（但是***数量较多，基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子），需要在集电结反偏时，作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压，而集电结加反偏电压。

发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目，也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目，极电流的大小。

集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。

ESD二极管比较便宜由于浪涌电流会使二极管在很短的时间内产生大量热，结温快速上升，长治肖特基二极管.

红外发光二极管的检测

  1．正、负极性的判别 红外发光二极管多采用透明树脂封装，管心下部有一个浅盘，管内电极宽大的为负极，而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极，短引脚为负极。

  2．性能好坏的测量 用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15~40kΩ（此值越小越好）；反向电阻大于500kΩ（用R×10k档测量，反向电阻大于200 kΩ）。若测得正、反向电阻值均接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ，则说明该二极管已漏电损坏。

二极管的主要参数

二极管是非线性元件，二极管具有单向导电性

1.比较大整流电流IF。

是指二极管长时间连续使用时，允许通过的比较大正向平均电流

2.反向击穿电压VBR和比较大反向工作电压VRM

反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值

3反向饱和电流IR

指没有发生反向击穿时的反向电流值，反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好，其大小受温度影响较大。

4比较高工作效率

指二极管所能承受的比较高频率，主要由N结的结电容大小决定二极管的性能

肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。

三极管的特殊用途：

半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可**使用的两端或三端器件。

1. 扩流。

把一只小功率可控硅（晶闸管）和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其比较大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。

2. 代换。

图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。

变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被***地用于参量放大器.MOS二极管批发

TO-252封装的超快速恢复二极管!广东晶体二极管

MOS管

MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。

NMOS管的原理图示如下

它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。

刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。

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