芯片制造过程共分为七大生产区域，分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化，光刻和刻蚀是其中**为**的两个步骤。
而晶体管就是通过光刻和蚀刻雕刻出来的，光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。
刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的***侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤.
而其中，还涉及到的材料就是光刻胶，我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模板上，然后光源通过掩模板照射到附有光刻胶的硅片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学效应，再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩模板上的电路图转移到光刻胶上，***利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。
晶体管的电子流动方向就是集电极，然后由基极控制。宁波电子管晶体管
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base） 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。
晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。 长沙电压晶体管第三类是可以用来制作成晶体三极管的半导体。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关，是电子电路的**元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
1、三极管的工作原理
三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们*以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
单结晶体管极性的判断
单结晶体管极性的判断方法常有两种，一种是从外观来看，另一种是用万用表来测量。
（1）外观判断法。从外观上看，引脚与外壳相通的电极，一般是b1极；与凸耳相靠近的电极一般为e极，如图5-8所示。
（2）万用表判断法
1）发射极e的判断
单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。测任意两个管脚的正向电阻和反向电阻，直到测得的正反向电阻都基本不变时（一般约10KΩ～30 KΩ，不同型号的管阻值有差异），这两个管脚就是两个基极，剩下的另一个管脚就是发射极e。
2）b1、b2电极的判断
在判断出发射极e的基础上，万用表量程置于R×1K挡，黑表笔发射极，红表笔分别接另外两个极，万用表两次均会导通，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是单结晶体管的b1极。
***看晶体管的集电极，在电子管的位置就叫做阳极。
每平方毫米近3亿个晶体管！台积电3nm工艺挑战摩尔定律 *
智东西4月21日消息，据外媒phoneArena报道，台积电的3nm芯片将实现每平方毫米近3亿个晶体管的晶体管密度，提升了1.7倍。同时，其性能将提升5%，能耗降低15%，预计将于2021年下半年开始生产，2022年下半年实现量产。
长期以来，台积电和三星一直都在竞相完善3nm芯片的生产设施，但由于今年肺炎病毒的爆发，双方的完善进度亦受到了影响。据悉，三星3nm芯片的量产计划也将从2021年推迟到2022年。
在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。东莞电压晶体管
MOS晶体管全名叫做MOSFET（Metal oxide semiconductor field effect transistor）。宁波电子管晶体管
2．单结晶体管的特性——伏安特性
单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue，在b2、b1极之间加一个正电压Ubb，其发射极电流Ie与发射极电压Ue的关系曲线。
由单结晶体管的伏安特性曲线可见：
（1）当发射极所加的电压Ue＜Up(峰点电压，约6～8V)时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，即曲线的AP段。此时，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，e、b1极之间相当于一个断开的开关。
（2）当发射极所加的电压Ue越过Up峰点电压后，单结晶体管开始导通，随着导通电流Ie的增加，其e极对地的电压Ue是不断下降的，即曲线的PV段。在曲线的PV段，其动态的电阻值是负值的，这一区间又叫负阻区。负阻区是一个过渡区，时间很短，随着Ie电流的增加，电压Ue将很快达到谷点电压Uv。
（3）当Ie增加到谷点电压所对应的电流，即谷点电流Iv之后，Ue将随Ie的增加而增加，即曲线的VB段，其动态电阻是正值的，这一区间又称为饱和区。单结晶体管工作在饱和区时，其e、b1极之间的等效阻值非常小，e、b1极之间相当于一个闭合的开关。
综上所述，单结晶体管的e、b1极之间，相当于一个受发射极电压Ue控制的开关，故可以用来作振荡元件。
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