晶体管基极-发射极间的二极管
对于三极管的理解，可能有同学还不是很理解，下面就用生活中一个很常见的实物类比，这里以NPN型三极管为例进行说明，PNP型三极管类似，只是方向不同而已，结论都适用。
三极管就如同日常使用的水龙头，如下图5所示，三极管的集电极C可以看做水龙头的进水口；发射极E可以看做可以看做水龙头的出水口，基极B可以看做水龙头的开关。
类比三极管的水龙头
在使用水龙头时，转动开关B，当向右转动时，水流会慢慢增大，向右转到比较大位置时，水流比较大，此时开关B无法再向右旋转，即对应三极管的饱和模式；
单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue。北京收音机晶体管
当芯片设计好了之后，就要制造出来，晶体管就是在晶圆上直接雕出来的，晶圆越大，芯片制程越小，就能切割出更多的芯片，效率就会更高。
举个例子，就好像切西瓜一样，西瓜更大的，但是原来是切成 3 厘米的小块，现在换成了 2 厘米，是不是块数就更多。所以现在的晶圆从 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到现在 16 寸大小。
制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以成为栅长，它的距离越短，就可以放下更多的晶体管，这样就不会让芯片不会因技术提升而变得更大，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小。但是我们如果将栅极变更小，源极和漏极之间流过的电流就会越快，工艺难度会更大。
芯片制造共分为七大生产区域，分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化。
珠海测试仪晶体管单结晶体管因为具有两个基极，故单结晶体管又称为双基极晶体管。
详细解读芯片如何“坐拥”百亿个晶体管 *
如今的 7nm EUV 芯片，晶体管多大 100 亿个，它们是怎么样安上去的呢？
晶体管并非是安装上去的，芯片制造其实分为沙子 - 晶圆，晶圆 - 芯片这样的过程，而在芯片制造之前，IC 涉及要负责设计好芯片，然后交给晶圆代工厂。
芯片设计分为前端设计和后端设计，前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计）并没有统一严格的界限，涉及到与工艺有关的设计就是后端设计。芯片设计要用专业的 EDA 工具。
模拟电子技术实用知识（单结晶体管） *
一、单结晶体管的结构与特性
1．单结晶体管的结构
单结晶体管因为具有两个基极，故单结晶体管又称为双基极晶体管。单结晶体管有三个电极，分别称为***基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端，各引出一个电极，分别称***基极b1和 第二基极b2。在硅片的另一侧较靠近b2处，用扩散法掺入P型杂质，形成一个PN结，再引出一个电极，称发射极e。单结晶体管的内部结构、等效电路、图形符号如图1所示。
存在于两个基极b1和b2之间的电阻是N型硅片本身的电阻，称为体电阻，由单结晶体管的等效电路可见，两基极间的电阻Rb1b2=Rb1+Rb2, 其体阻值一般在（5～10）KΩ之间。
国产单结晶体管的型号，主要有BT31、BT32、BT33等系列产品，其中B表示半导体器件，T表示特种晶体管，第三位数3表示三个电极，***一位数表示功耗100mW、200mW、300mW等等。
常用的型号为BT33的单结晶体管的外形结构，如图2所示。
晶体管对芯片性能的影响与摩尔定律有关。
晶体管（transistor）是一种类似于阀门的固体半导体器件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制 和许多其他功能。在1947年，由美国物理学家约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和英国物理学家威廉·肖克 利（William Shockley，1910—1989）所发明。他们也因为半导体及晶体管效应的研究获得1956年 诺贝尔物理奖。
二战之后，贝尔实验室成立了一个固体物理研究小组，他们要制造一种能替代电子管的半导体器 件。此前，贝尔实验室就对半导体材料进行了研究，发现掺杂的半导体整流性能比电子管好。因此 小组把注意力放在了锗和硅这两种半导体材料上。 凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。泉州晶体管联系方式
储器件的晶体管累积量的增长远远超过非存储器件！北京收音机晶体管
导体三极管
1半导体三极管的结构.
半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管)，是电子线路中**常用的半导体器件，它在电路中主要起放大和电子开关作用
定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类
晶体三极管有集电区，基区和发射区三个区域
集电区与基区之间的PN结称为集电结，基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向，
发射结正向偏置、使电结反向偏置。
2半导体三极管的电流分配及放大作用
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