可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

    晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断,线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2.交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容,初级高压经电容耦合到次级,出现瞬时过电压。措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变,在次级感生出很高的瞬时电压,这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。淄博正高电气以精良的产品品质和优先的售后服务,全过程满足客户的***需求。滨州进口可控硅调压模块

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    可控硅概况可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有的应用。可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。可控硅工作原理解析可控硅结构原件可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。东营小功率可控硅调压模块组件淄博正高电气迎接挑战,推陈出新,与广大客户携手并进,共创辉煌!

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    可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类;从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。下面是一个坏了换下来的电阻焊控制器一般这个东西都是可控硅坏了一般他们都是换总成所以这个就报废了这种有3个整体结构也就这几个部分一个控制板一个可控硅控制板下面有一个变压器还有一些电阻控制板特写可控硅模块拆下来后我发现分量挺重的拆开研究研究可控硅的结构下方的两个管道是循环冷却水。

    本公司技术力量雄厚,基础设施齐全,新品开发能力强,本说明以外的相近产品能快速研制生产,满足您的要求。本说明如不能满足您的要求,可来函索取更详细资料,更欢迎您光临本公司商榷、洽谈、指导。使用条件:环境条件:1、自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;2、空气相对湿度≤85%;3、空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;4、气压86—106Kpa;5、无剧烈震动或冲击;6、若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。冷却条件:1、强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;2、水冷:流量≥4L/mm,压强±。水温≤35℃.水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;3、其它冷却方式应进行相应的试验证明工作可靠方可使用。注意事项:1、选择电流电压时要留有适当的余量;2、线路中须有过压过流保护措施,串并联使用时必须有均流措施。3、用万用表简单判断器件是否损坏:门阴极间电阻,应有十几或几十Ω,否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻,应大于1MΩ,(整流管正向除外),电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良,电阻近零时表明器件已击穿。经我公司鉴定,确定质量问题的产品,保退保换。退换时须携带原产品合格证。我公司生产的产品、设备用途非常多。

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    设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。过电压保护的第一种方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用压敏电阻或硒堆等非线性元件加以。过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。3.电流上升率、电压上升率的保护(1)电流上升率di/dt的可控硅初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域,局部电流密度很大,然后以μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面,若可控硅开通时电流上升率di/dt过大,会导致PN结击穿,必须限制可控硅的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在可控硅的阳极回路串联入电感。如下图:(2).电压上升率dv/dt的加在可控硅上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时引起晶闸管误导通。为dv/dt的作用,可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。如下图:4.为什么要在可控硅两端并联阻容网络在实际可控硅电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。可控硅有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下。公司生产工艺得到了长足的发展,优良的品质使我们的产品****各地。新疆大功率可控硅调压模块价格

“质量优先,用户至上,以质量求发展,与用户共创双赢”是淄博正高电气新的经营观。滨州进口可控硅调压模块

    晶闸管模块中的水冷散热器重复使用时需要注意哪些事项?晶闸管模块在长期的使用情况下会产生高温,这时就必须安装散热器,有时会因为散热器安装与使用方法的不当,效果就有很大的差异,下面正高电器来讲下晶闸管模块中的水冷散热器重复使用时需要注意哪些事项?用简易数字万用表附带的点温计对KK2000A晶闸管管芯陶瓷外壳的温度进行了测量,对比同一台设备,同类器件,不同散热器在相同工作条件下的温度,以此来比较散热器的散热效果。具体测量的有关数据如下:工作条件中,中频电源直流电流1800A,进水温度40°C。用此种方法所测的温度虽然有一定的误差,也不能元件的真正壳温,但通过相对比较能明显地说明,不同情况的散热器散热效果有很大的区别。由于晶闸管元件正常使用时壳温一般要求小于80°C,故其对管芯的使用寿命有很大的影响。同时明显看出,凡使用过的散热器更换管芯后,散热效果明显下降,特别是更换三四次后,有的已根本不能使用。分析其原因主要有:①散热体使用一次后,其台面受压力而下陷(是必然的),或碰伤,重新更换管芯,很难保证管芯台面正好与下陷部位完全重合,所以即使达到了规定压力。也不能保证散热体与管芯接触面均匀、紧密的接触。②水质差。滨州进口可控硅调压模块

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