半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写：Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。高压二极管价格
半导体三极管的好坏检测
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.
d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.
三极管
三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值：
（1）Vceo：在集极开路的情况下，集电极和发射极之间的击穿电压；
（2）Vcbo: 在发射极开路的情况下，集电极和基极之间的击穿电压；
（3）Vebo: 在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的击穿电压；
三极管的三个反向击穿电压
虽然在形式上，三极管看似为两个反向的二极管串联，但在工艺上，三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同，使得上面三个反向击穿电压不同，通常情况下它们之间的关系为：
Vcbo>Vceo>>Vebo
一、MOS管
MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。
NMOS管的原理图示
它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。
刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。
变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被***地用于参量放大器.
三极管可以并联使用以扩大电流容量，也可以组成达林顿管的形式来提高三极管的增益。
DB681是一款NPN型的达林顿管，它是由两个NPN三极管组成，***个三极管的发射极连接到第二级三极管的基极。其中还集成有两个三极管的Rbe电阻。它的耐压为：Vceo=100V。
BD681达林顿三极管
下面是测量BD681的C、E之间的击穿电压电流曲线，可以看到这款达林顿三极管的实际Vceo为190V。
NPN型达林顿三极管BD681的C、E击穿电压电流曲线
DB682是一款PNP型号达林顿管，通常与BD681组成互补桥电路功率输出。它的C、E之间的击穿电压电流曲线如下图所示：
PNP型达林顿三极管BD682C、E击穿电压电流曲线
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。快恢复二极管制造商
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。高压二极管价格
TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同，外形也与普通二极管无异，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度(高达1/(10^12)秒)使其阻抗骤然降低，三明tvs二极管，同时吸收一个大电流，tvs二极管作用，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话，tvs二极管供应商，TVS有二极管类，和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势，***用于手机，LCD模组，及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加，来作为静电防护的主要手段之一。高压二极管价格
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