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晶体管基本参数
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晶体管企业商机

三极管(BJT管),也称为双性型晶体管

三极管是一个人丁兴旺的“大家族”,其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的,比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析,下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿,并且这三条腿不能相互换用,不像MOS管那样其源极(S)和漏极(D)在一定条件下还可以换用的(低频的结型管可以互换)。从图中我们也可以看到,三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题,分别从三个半导体基座中引出三个极,我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是,通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小,由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件。


二极管、三极管、场效应管都是半导体器件.功放晶体管哪种好

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晶体管的发展1)真空三极管

1939年2月,Bell实验室有一个伟大的发现,硅p_n结的诞生。1942年,普渡大学Lark_Horovitz领导的课题组中一个名叫Seymour Benzer的学***现锗单晶具有其它半导体所不具有的优异的整流性能。这两个发现满足了美国**的要求,也为随后晶体管的发明打下了伏笔。

2)点接触晶体管

1945年二战结束,Shockley等发明的点接触晶体管成为人类微电子**的先声。为此,Shockley为Bell递交了***个晶体管的专利申请。**终还是获得了***个晶体管**的授权。

3)双极型与单极型晶体管

Shockley在双极型晶体管的基础上,于1952年进一步提出了单极结型晶体管的概念,即***所说的结型晶体管。其结构与pnp或npn双极型晶体管类似,但在p_n材料的界面存在一个耗尽层,以使栅极与源漏导电沟道之间形成一个整流接触。同时两端的半导体作为栅极。通过栅极调节源漏之间电流的大小。

4)硅晶体管

仙童半导体由一个几人的公司成长为一个拥有12000个职工的大企业。


数字晶体管可以清晰地看到层状的 CPU 结构,由上到下有大约 10 层,其中**下层为器件层,即是 MOSFET 晶体管。

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左边引起电流波动的信号可能来自麦克风电压信号。在1947年的晶体管组成的放大电路可以将音频信号的功率增加35分贝。


Westen Electric 公司在1951年开始批量生产这种点接触式晶体三极管。这种晶体管的一个巨大缺点就是可靠性差,有的晶体会会突然失效。从制作工艺角度来看,这种结构有着先天不足,它是三维立体结构。


***个晶体管原理图和外观--**手工打造的三极管


由此,物理学家开始考虑如何能够将器件从三维结构改变成二维的结构。多年之后,包括Westen Electric, RCA,GE等公司开发出结型二维晶体三极管。这种晶体管的性能超过了**早的点接触型的晶体三极管。


导体三极管


1半导体三极管的结构.


半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中**常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用


定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类


晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域


集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,


发射结正向偏置、使电结反向偏置。


2半导体三极管的电流分配及放大作用


单结晶体管因为具有两个基极,故单结晶体管又称为双基极晶体管。

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2.单结晶体管的特性——伏安特性


单结晶体管的伏安特性,是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue,在b2、b1极之间加一个正电压Ubb,其发射极电流Ie与发射极电压Ue的关系曲线。


由单结晶体管的伏安特性曲线可见:


(1)当发射极所加的电压Ue<Up(峰点电压,约6~8V)时,单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流,即曲线的AP段。此时,单结晶体管是处于截止状态的,其e、b1极之间的等效阻值非常大,e、b1极之间相当于一个断开的开关。


(2)当发射极所加的电压Ue越过Up峰点电压后,单结晶体管开始导通,随着导通电流Ie的增加,其e极对地的电压Ue是不断下降的,即曲线的PV段。在曲线的PV段,其动态的电阻值是负值的,这一区间又叫负阻区。负阻区是一个过渡区,时间很短,随着Ie电流的增加,电压Ue将很快达到谷点电压Uv。


(3)当Ie增加到谷点电压所对应的电流,即谷点电流Iv之后,Ue将随Ie的增加而增加,即曲线的VB段,其动态电阻是正值的,这一区间又称为饱和区。单结晶体管工作在饱和区时,其e、b1极之间的等效阻值非常小,e、b1极之间相当于一个闭合的开关。


综上所述,单结晶体管的e、b1极之间,相当于一个受发射极电压Ue控制的开关,故可以用来作振荡元件。


MOS晶体管全名叫做MOSFET(Metal oxide semiconductor field effect transistor)。功率晶体管

晶体管对芯片性能的影响与摩尔定律有关。功放晶体管哪种好

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

2016年,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有的**精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm,完成了计算技术界的一大突破。

严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

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