外一个标称为1N4004的二极管，通过实测会发现，它的反向耐压的数值居然与1N4007相同。说明器件生产商为了减少型号库存，将同规格的器件按照不同型号来出品。
不同型号的1N400X反向击穿电压曲线，
1N4004,1N4007的反向耐压曲线是相同
有的时候，对于二极管的反向耐压数值要求精度比较高，向TVS瞬变二极管通常用于***和吸收电路中瞬态高电压脉冲，用于保护电路。它的击穿电压需要能够比较精确。如果与标称值有较大的误差的话，在实际工作中就起不到保护电路的作用了。
手边的TVS二极管，型号为1.5KE100A，数据手册给定的反向击穿电压范围是：85.5~105V，典型击穿电压为95V。下面是实测反向电压电流曲线，它的击穿电压为96V，与标称值非常接近。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响*为RC时间常数限制。汕头场效应管
MOS管
现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异，N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。
IXFK38N80是一款大功率MOS管，称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为：击穿电压Vds = 800V，工作电流：38A。
下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线，它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。
IXFK38N80击穿电压电流曲线
通常情况下，MOS管耐压越高，导通电阻就越大，使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。
G40N60是手边的一款IGBT，手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。
G40N60击穿电压电流曲线
IGBT中由于存在双极性三极管，它是利用少数载流子完成电流导通，所以IGBT的截止时间较长，无法工作在高频电路中。
近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题，在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。
C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。
C2M008012碳化硅MOS管
但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题，主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。
8550三极管供应根据其不同用途，可分为隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.
将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.
让我们带着这个问题开始学习三极管的结构。
与二极管类似，三极管也是由PN结构成的，它的内部包含两个PN结，这两个PN结由三片半导体构成。根据这三片半导体排列方式的不同，三极管可以分成NPN型和PNP型。
以NPN型为例，三极管的结构特点可以概括为三极、三区、两结。从三片半导体各引出一个引脚，就是三极，中间为基极B，两边分别为集电极C和发射极E。与三个引脚相连的三片半导体即为“三区”，基区、集电区和发射区。
三个区结构上各有特点，基区**薄，集电区面积比较大，发射区掺杂浓度比较高。三个区相互结合，在交界处形成两个PN结。基区与集电区交界处称为集电结，基区与发射区交界处称为发射结。
在这里的电阻主要起到两个作用：一个是提供稳压二极管的工作电流，另一个是限制稳压二极管的比较大电流。
如果二极管反向耐压满足不了实际电路工作情况，可以通过串联两个二极管来提高二极管的反向耐压。
下面是将两个二极管串联，分别测量它们各自反向电压电流曲线以及串联后的电压电流曲线，可以看到反向击穿电压等于它们各自反向击穿电压之和。
二极管串联之后的反向电压电流曲线
有一种双向稳压二极管，通常用于电路的保护，逆变电路中反激电压的产生。它相当于将两个二极管反向串联在一起。从外表上来看它没有特别的极性标识，使用万用表的二极管档测量，它两个方向都呈现截止特性。
如果施加正向和反向电压，可以看到它的电压电流曲线在两个方面上基本一致。下图是对一种双向稳压二极管测量两个方向的击穿电压电流曲线。
双向稳压二极管的击穿电压电流曲线
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。浙江场效应管
由于浪涌电流会使二极管在很短的时间内产生大量热，结温快速上升，长治肖特基二极管.汕头场效应管
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