这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响*为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 稳压二极管内部也是由PN结构成的，PN结在反向击穿时，电流在一定范围内变化时，电压会基本保持不变。S9014三极管哪种好
二极管的特性
通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为，硅管约为）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为，硅管约为），称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
雪崩二极管直销肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
10、半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.
11、半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三.
图三 硅和锗管的伏安特性曲线
12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。
在三极管be之间增加偏置电阻，测量Vce击穿电压
下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下，C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。
所以在正常设计三极管电路的时候，需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。
在不同的Rbe的阻值下，Vce的击穿电压曲线
由于三极管的发射区掺杂浓度很高，B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。
因此，在使用三极管的时候，如果错把集电极和发射极弄混，除了会引起电流放大倍数的下降之外，因为Vebo,Vceo的差异，电路中的三极管的也会被击穿。
和二极管一样，半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。
两个不同批次的S8050Vceo的电压
正、负电极的判别 从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。
MOS管
现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异，N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。
IXFK38N80是一款大功率MOS管，称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为：击穿电压Vds = 800V，工作电流：38A。
下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线，它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。
IXFK38N80击穿电压电流曲线
通常情况下，MOS管耐压越高，导通电阻就越大，使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。
G40N60是手边的一款IGBT，手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。
G40N60击穿电压电流曲线
IGBT中由于存在双极性三极管，它是利用少数载流子完成电流导通，所以IGBT的截止时间较长，无法工作在高频电路中。
近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题，在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。
C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。
C2M008012碳化硅MOS管
但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题，主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。
稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的，如果输入的电压没有超过其稳压值。恒流二极管联系方式
在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管.S9014三极管哪种好
tvs二极管作用 *
TVS的电容量由其芯片的面积和偏置电压来确定，其偏置电压与电容值C 成反比。在应用中要根据电路持性选择合适的电容范围，电容大会使信号损失，对信号起调制作用，引起干扰。
反向漏电流ID
当额定反向工作电压VWM 加于TVS两极时，TVS处于反向关断状态，流过TVS 的电流称为反向漏电流，ID值应小于或等于其**da反向漏电流。
tvs二极管
由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，tvs二极管应用，已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)，RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰***、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的***等各个领域。
S9014三极管哪种好
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