三极管
三极管是电流控制型器件，基极（B）的电流控制发射极（E）和集电极（C）之间的电流。下面以NPN管为例图示如下。
NPN管的原理图示
三极管好像是一个为了取小水而漏掉大水的例子。如上图所示，当不取水时，阀门关闭了大小管道，都没有电流。当通过小管道开启阀门取一点水的时候，水就会漫过阀门空隙流到大管道另外一端。当阀门开的越大，漏掉的水就越多，好像小水流可以控制大漏水一样，这就是线性工作区。如果阀门开大到一定程度，管子满了，那么再开大阀门也不会增加水流了，这就是饱和工作区。
MOS管和三极管的特点有点相似：它们都可以做开关（饱和区），也都可以做放大器（线性区）使用。但是MOS管由于栅极与源漏之间是隔开的，没有像三极管那样直接联通，所以使用起来，各电极之间信号更干净更容易控制。所以MOS管已经是集成电路的主力了。
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10、半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.
11、半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三.
图三 硅和锗管的伏安特性曲线
12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。
S9013 三极管现货从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出，它的正向特性与普通二极管是一致的，反向特性。
让我们带着这个问题开始学习三极管的结构。
与二极管类似，三极管也是由PN结构成的，它的内部包含两个PN结，这两个PN结由三片半导体构成。根据这三片半导体排列方式的不同，三极管可以分成NPN型和PNP型。
以NPN型为例，三极管的结构特点可以概括为三极、三区、两结。从三片半导体各引出一个引脚，就是三极，中间为基极B，两边分别为集电极C和发射极E。与三个引脚相连的三片半导体即为“三区”，基区、集电区和发射区。
三个区结构上各有特点，基区**薄，集电区面积比较大，发射区掺杂浓度比较高。三个区相互结合，在交界处形成两个PN结。基区与集电区交界处称为集电结，基区与发射区交界处称为发射结。
1N5817肖特基二极管反压电流曲线
STPS3H100V 是另外一款反向电压较大的肖特基整流二极管。数据手册表明的反向电压大于100V，正向整流电流3A，电压0.327V。下图是它的反向电压电流曲线：
STPS3H100V高压肖特基二极管的反向电压电流曲线
发光二极管基本上不会工作在反向电压下。它们的反向耐压随着不同颜色而不同。下面是对几种不同颜色的LED的反向耐压进行测量结果。可以看到，蓝色LED反向耐压比较低，红色，橘黄色LED的反向耐压很高。
若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。
三极管的三种工作状态是非常重要的，是无线电基础中的基础。对此我是这样理解的。无论是NPN型三极管还是PNP型三极管，当发射结加正向偏置电压，而集电结加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在放大模式；而当其发射结和集电结都加正向偏置电压时，该三极管就工作在饱和模式；而当发射结和集电结同时加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在截止模式。为此我编了一句顺口溜：发正集反是放大；全正饱和全反截，希望对大家理解有用。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管.S9014三极管报价
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。贴片稳压二极管批发
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
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快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响*为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 贴片稳压二极管批发
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