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晶体管基本参数
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晶体管企业商机

一、三极管的放大作用


1.外部条件:发射结正偏,集电结反偏


2.内部条件:基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度


3.IE、IB、Ic之间关系':IE=IB+Ic.




3晶体三极管的特性曲线


一.     定义:指三极管各电极电压和电流之间的关系曲线,主要包括:输入和输出特性曲线。


二.     输入特性曲线


定义:当集电极和发射极之间的电压UCE保持一定时,晶体三极管的输入电流IB(基极电流)与输入电压UBE(基极和发射极之间的电压之间的关系曲线)

:IB=f(UBE)


三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止,这就是三极管的开关作用(开关特性)。乐山电路设计晶体管

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也可使用其它种类器件完成同样的单向导电功能,比如真空二极管。但是它们非常复杂,具有很多部件,如果过热也会造成器件不可靠,造价很高,也不可能进行小型化。


能够小型化非常关键,晶体管带来了微电子的**变化。Brattain所制作的晶体管是所有晶体管的基础。



为了理解***个晶体管的工作原理,可以把它左右分开,看成两个并联在一起的单向导电的二极管。


在中间是一层半导体锗,它具有负电荷载流子。下面是金属铜形成的导电基底。**上层是有金箔层。



当金箔接触到半导体锗表面的时候,就会形成带有正电荷载流子的半导体。在其下就是带有负电荷载流子的锗半导体。


北京晶体管制造公司所以平面晶体管通常也是所谓漂移晶体管。这种晶体管的性能**优于均匀基区晶体管。

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图3 晶体三级管的内部工作原理


换句话说,为了让晶体管工作,只需要设计一种外部电路,使基极-发射极间的电流流动就可以了。晶体管都有一个箭头方向,我们可以理解为晶体管的基极-发射极之间加入了一个二极管,而箭头的方向就是二极管的方向,如下图4所示。


当晶体管进行工作时(基极和发射极之间有电流的流动,NPN型是从基极流向发射极,PNP型是从发射极流向基极),基极-发射极间的压降与二极管的压降相同,为0.6~0.7V。也就是说,在设计电路时,只要使晶体管的基极-发射极间的电压设为Vbe>=0.6V,使基极-发射极之间的二极管导通,这样三极管基极-发射极之间就有电流流动,然后再对电路的其他部分进行计算就可以了。



**小噪声系数和相关增益与IDSS漏极电流之间的关系,2x75 pHEMT工艺 [使用Agilent ADS和PH25设计套件模拟,由United Monolithic Semiconductors(UMS)提供]


线性度也是有源器件的一个重要特性,它可以测量漏极电流随负载线的栅极电压变化的线性变化。从图中可以看出,它是I / V曲线在偏置点周围的平行和均匀间隔的度量。这通常在I / V图的中间是比较好的,并且主要是器件技术的函数,GaAs MESFET和Si横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管通常比Si双极晶体管更加适合在线性 放大器中应用。



这个晶体三极管究竟是如何完成这神奇的功能的呢?

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晶体管的诞生


在晶体管诞生之前,放大电信号主要是通过真空电子管,但由于真空管制作困难、体积大、耗能高且使用寿命短,使得业界开始期望电子管替代品的出现。1945年秋天,贝尔实验室正式成立了以肖克利为首的半导体研究小组,成员有布拉顿、巴丁等人,开始对包括硅和锗在内的几种新材料进行研究。


1947年贝尔实验室发表了***个以锗半导体做成的点接触晶体管。但由于点接触晶体管的性能尚不佳,肖克利在点接触晶体管发明一个月后,提出了使用p-n 结面制作接面晶体管的方法,称为双极型晶体管。当时巴丁、布拉顿主要发明半导体三极管;肖克利则是发明p-n 二极管,他们因为半导体及晶体管效应的研究获得1956年诺贝尔物理奖。


单结晶体管因为具有两个基极,故单结晶体管又称为双基极晶体管。电力晶体管报价

晶体管的电子流动方向就是集电极,然后由基极控制。乐山电路设计晶体管

通俗易懂的三极管工作原理   *


1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响,使pn结的功能发生了质的飞跃,具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用,首先,制造工艺上的两个特点:(1)基区的宽度做的非常薄;(2)发射区掺杂浓度高,即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。


2、晶体三极管的工作原理。


其次,三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V);(b)在C极和E极之间施加反向电压(此电压应比eb间电压较高);(c)若要取得输出必须施加负载。


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