晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。
晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。
晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器)。
晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。 晶体管对芯片性能的影响与摩尔定律有关。计算机晶体管代理销售价格
下面的分析*对于NPN型硅晶体管三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。
芜湖晶体管价格晶体管的功能源于电子的受控运动。
HEMT在文献中有时被称为异质结构FET 或异质结FET(HFET),甚至是调制掺杂FET(MODFET),但它们都是高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs),因为它们在不同类型的半导体之间具有异质结,这增加了载流子在沟道中的迁移率。假晶HEMT(pHEMT)使用极薄的不同半导体层[通常为铟镓砷(InGaAs)],其应变为周围半导体(通常为AlGaAs)的晶格常数,形成假晶层(具有AlGaAs晶格尺寸的InGaAs层);这样就可以获得InGaAs增强的电子传输特性,同时仍然在GaAs衬底上制造出完整的MMIC 。变质(metamorphic)HEMT(mHEMT)具有更高迁移率的半导体层,例如InP,在其表面上生长,具有其自身的自然晶格常数。为实现这一目标,GaAs衬底的晶格常数必须通过外延层逐渐改变为InP 。
单结晶体管的主要参数与极性的判断
1.单结晶体管的主要参数
(1)基极间电阻Rbb(即Rb1+Rb2)。其定义为发射极开路时,基极b1、b2之间的电阻,一般为(5~10)KΩ,其数值随温度上升而增大,不同型号的管阻值有较大的差异。
(2)分压比η。η=Rb1/(Rb1+Rb2),由管子内部结构决定的常数,一般为0.3--0.85。
(3)eb1间反向电压Vcb1。在b2开路时,在额定反向电压Vcb2下,基极b1与发射极e之间的反向耐压。
(4)反向电流Ieo。在b1开路时,在额定反向电压Vcb2下,eb2间的反向电流。
(5)发射极饱和压降Veo。在比较大发射极额定电流时,eb1间的压降。
(6)峰点电流Ip:单结晶体管刚开始导通时,发射极电压为峰点电压时的发射极电流。
MOS晶体管全名叫做MOSFET(Metal oxide semiconductor field effect transistor)。
什么是三极管?
三极管,全称为半导体三极管、双极型晶体管或者晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的**元件。晶体三极管是一种三端器件,内部含有两个相距很近的PN结(发射结和集电结),两个PN结加上不同极性、不同大小的偏置电压时,晶体三极管呈现不同的特性和功能。
晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响.福州电路设计晶体管
由于三极管的输出电流是比较大的,可以产生较大的功率作为后级驱动器件但是其功耗比较大.计算机晶体管代理销售价格
导体三极管
1半导体三极管的结构.
半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管),是电子线路中**常用的半导体器件,它在电路中主要起放大和电子开关作用
定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类
晶体三极管有集电区,基区和发射区三个区域
集电区与基区之间的PN结称为集电结,基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向,
发射结正向偏置、使电结反向偏置。
2半导体三极管的电流分配及放大作用
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