在讨论学习曲线时，我将重点放在晶体管上，但应该注意的是，可以很容易地使用电子“开关”作为测量单位。同样，学习曲线也适用于机械开关、真空管。除此之外，学习曲线还可以用来预测性能、可靠性 (FITS)、功耗和许多其他参数。学习曲线还可以预测新技术采用的“临界点”。一个很好的例子是2001 年半导体测试行业引入的“压缩技术”。事后看来，通过集成电路中晶体管测试成本的学习曲线，该项重大创新是不可避免的。ATE 的成本学习曲线与硅晶体管的学习曲线不平行，并且有一个较小的陡坡，ATE 成本下降的速度不够快。第三类是可以用来制作成晶体三极管的半导体。计算机晶体管供应
在现代电子系统设计中，随着集成电路集成度越来越高，在设计电路时，晶体三极管作为逻辑开关的使用非常***。晶体三极管作为开关管使用时，是利用了让三极管工作在饱和模式下，也即是在**左侧时BE关闭，在**右侧时CE导通。上面的水龙头例子对三极管做了较为清晰的理解，在进行电路设计时，需要有一个可以量化的设计指标，即基极电流和集电极电流的关系来做量化分析。在进行三极管的饱和状态设计时，可以采用如下公式：
式中, 是基极流入发射极的电流； 是三极管的放大倍数； 是集电极的电流。
有时候需要用晶体三极管来对输入的信号做放大处理，在电路设计中，晶体三极管想选型可以按照如下步骤进行。
(一) 、需要明确制作什么样性能的电路，也即是说，要有一个系统的电路设计的规格书；
(二) 、确定要使用电源的电压，来保证电路的正常工作；
(三) 、选择所要使用的晶体管的类型，PNP或者NPN，一般NPN型三极管使用的要多一些。应根据晶体三极管Datasheet里的比较大额定值选择，保证其不会在工作时损坏，在额定值内查看其电气特性，根据目标信号放大倍数选定合适的三极管；
遂宁晶体管哪个厂家质量好凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。
HEMT在文献中有时被称为异质结构FET 或异质结FET（HFET），甚至是调制掺杂FET（MODFET），但它们都是高电子迁移率场效应晶体管（HEMTs），因为它们在不同类型的半导体之间具有异质结，这增加了载流子在沟道中的迁移率。假晶HEMT（pHEMT）使用极薄的不同半导体层[通常为铟镓砷（InGaAs）]，其应变为周围半导体（通常为AlGaAs）的晶格常数，形成假晶层（具有AlGaAs晶格尺寸的InGaAs层）;这样就可以获得InGaAs增强的电子传输特性，同时仍然在GaAs衬底上制造出完整的MMIC 。变质（metamorphic）HEMT（mHEMT）具有更高迁移率的半导体层，例如InP，在其表面上生长，具有其自身的自然晶格常数。为实现这一目标，GaAs衬底的晶格常数必须通过外延层逐渐改变为InP 。
半导体学习曲线的一大优点是，只要生产出晶体管或等效开关，它就会适用。虽然摩尔定律正在加速寿终正寝，但学习曲线永远不会过时。但将会看到，所生产的晶体管总量将不再以如此快的速度在对数坐标上向右移动，从而价格也不会像过去那样迅速下降。改进学习的明显效果将会减弱。在某一时刻，货币通胀将大于制造成本的降低，即使晶体管的单位价格以固定货币的形式减少，而实际上可能会随着时间的推移以***货币的形式而增长。同时，学习曲线也是预测未来的有用指南。在2019年，单个晶体管的收入年下降率约32%.
三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V.
三极管放大原理参考示意图
① 如图 2.20 （ａ）所示：当发射结无电压或施加电压在门限电压以下，相当于闸门关紧时，水未从水龙头底部通过水嘴流出来。此时， ec 之间电阻值无穷大， ec 之间的电流处于截止状态，或者说是开关的 OFF 状态。
子元器件基础知识- -三极管 *
三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。
单结晶体管因为具有两个基极，故单结晶体管又称为双基极晶体管。计算机晶体管供应
图3 晶体三级管的内部工作原理
换句话说，为了让晶体管工作，只需要设计一种外部电路，使基极-发射极间的电流流动就可以了。晶体管都有一个箭头方向，我们可以理解为晶体管的基极-发射极之间加入了一个二极管，而箭头的方向就是二极管的方向，如下图4所示。
当晶体管进行工作时（基极和发射极之间有电流的流动，NPN型是从基极流向发射极，PNP型是从发射极流向基极），基极-发射极间的压降与二极管的压降相同，为0.6~0.7V。也就是说，在设计电路时，只要使晶体管的基极-发射极间的电压设为Vbe＞＝0.6V，使基极-发射极之间的二极管导通，这样三极管基极-发射极之间就有电流流动，然后再对电路的其他部分进行计算就可以了。
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