TO-252封装尺寸图
电气特性方面，关于***比较大额定值，六款二极管的反向重复峰值电压均为400v、600v、800v , 反向电压均为400v、600v、800v. 平均整流输出电流为5A/10A， 运行结温均为150℃，储存温度均为-55℃~+150℃。正向不重复峰值电流(浪涌电流)不同。
六款直插超快速恢复二极管的产品特性：
. 低开关损耗
. 低正向电压
. 高电流过载能力
六款直插超快速恢复二极管的结构：
. 硅外延平面型
. 玻璃钝化PN结型
六款超快速恢复二极管替代传统直插DO-27封装的应用:通用的整流应用
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。三极管直销
2．稳压值的测量 用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只Ω限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。
也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接，兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄，同时用万用表监测稳压二极管两端电压值（万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定），待万用表的指示电压指示稳定时，此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。
若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低，则说明该二极管的性不稳定。
惠州二极管硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
（四）发光二极管的检测
1．性能好坏的判断
用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于（高于万用表R×1k档内电池的电压值）的缘故。
用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。
也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74），正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。
红外光敏二极管的检测
将万用表置于R×1k档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3~10 kΩ左右，反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口（见图4-75）。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿！
TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同，外形也与普通二极管无异，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度(高达1/(10^12)秒)使其阻抗骤然降低，三明tvs二极管，同时吸收一个大电流，tvs二极管作用，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话，tvs二极管供应商，TVS有二极管类，和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势，***用于手机，LCD模组，及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加，来作为静电防护的主要手段之一。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。发光二极管代理销售价格
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管.三极管直销
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
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