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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
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半导体三极管


1、半导体三极管英文缩写:Q/T


2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。


3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。


按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。


4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。


单负导电性能的检测及好坏的判断 通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。大功率二极管价格

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从稳压二极管的伏安特性曲线能够看出,它的正向特性与普通二极管是一致的,反向特性,当低于它的击穿电压时,也与普通二极管的特性相类似,处于截止,但是当超过击穿电压时电流会迅速变化,但是电压会保持在一个很小的区间范围内。基本的二极管稳压电路,就是通过与负载反向并联,保持工作电压稳定的。

稳压二极管的使用

稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的,如果输入的电压没有超过其稳压值,它是不导通的,如果超过它的稳压值,它会击穿导通。一般来讲,输入的电压都是超过其稳压值的,在实际使用时,就需要通过电阻与其串联,去承担高于稳压值的这部分电压。


气体管销售代理并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

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TVS1.5KE100A反向电压电流曲线




1N5404是一款**率整流二极管,正向平均电流3A,反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线:


1N5404整流二极管反向电压电流曲线




肖特基二极管前向导通电压比较低,用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。




1N5817是一款整流肖特二极管,数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升,随着电流增加,反向电压反而下降,呈现明显的复阻抗特性。



一:二极管的分类


1、按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。


2、根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。


3、按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。


  1) 整流二极管


      将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。


  2)检波二极管


     检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。




其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属绝缘体半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

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场效应管(MOS管)


1、场效应管英文缩写:FET(Field-effecttransistor)


2、场效应管分类:结型场效应管和绝缘栅型场效应管


3、场效应管电路符号:


4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)


注:场效应管属于电压控制型元件,又利用多子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪声小,功耗低,无二次击穿现象等优点。


肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。中山肖特基二极管

5、场效应晶体管的优点:具有较高输入电阻高、输入电流低于零,几乎不要向信号源吸取电流,在在基极注入电流的大小,直接影响集电极电流的大小,利用输出电流控制输出电源的半导体。

稳压二极管也叫做齐纳二极管,它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性。大功率二极管价格

二极管

二极管是常见到的单向导通的半导体器件,通常用于信号的整流、检波、电路钳位等。如果反向电压超过其耐压就会引起器件击穿。如果没有限流二极管则会由于功率上升而烧毁。

1N4005硅二极管

1N 400X系列的二极管是常用在信号整流的二极管。数据手册给定的反向击穿电压分别为:

1N4001: 50V;1N4002: 100V;

1N4003:200V;1N4004:400V;

1N4005:600V;4N1006:800V;

1N4007:1000V

下面分别测量手边1N4001,1N4007反向电压-电流曲线。

1N4001二极管反向电压超过200V时,反相电流急剧上升。并且随着反相电流的增加,电压出现复杂变化的情况。

1N4001反向电压电流曲线

1N4007的反向电流电流曲线呈现单调上升的趋势,当反向电压超过1650V的时候,二极管击穿。

1N4007反向电压电流曲线

根据1N4001,1N4007反向击穿电压测试结果可以看出实际器件耐压都比数据手册数值高。由于半导体器件的参数具有很大的离散性,器件实际耐压比数据手册高是为了保证在**坏的情况下仍然能够满足电路的工作电压。




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