10、半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.
11、半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三.
图三 硅和锗管的伏安特性曲线
12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。S9013 三极管出厂价格
高温反偏试验：抽检，施加80%的反向额定电压(DC)，150℃，肖特基二极管电路，96小时。这个试验是对二极管耐压的严厉的考验，如果通过，其耐压品质堪称1流。如果降低要求，施加70%的反向额定电压，其他不变。
稳压二极管
普通二极管与稳压二极管的区分方法。先将万用表置R×1k档，按前述方法测出二极管的正、负极;然后将黑表笔接被测二极管负极，红表笔接二极管正极，此时所测为PN结反向电阻，阻值很大，表针不偏转。然后将万用表转换到R×10k档，此时表针如果向右偏转一定角度，说明被测二极管是稳压二极管;若表针不偏转，说明被测二极管可能不是稳压二极管(说明：以上方法仅适于测量稳压值低于万用表 R×10k档电池电压的稳压二极管)。
光敏三极管现货单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。
场效应管(MOS管)
1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)
2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管
3、场效应管电路符号：
4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)
注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。
利用TVS的钳位特性，将8 kV危险浪涌电压削减到10 V的安全电压。需要注意的是，以上电路应满足Rggt;RS RLoadgt;RS这一条件。
TVS在TN电源系统的应用
雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部，造成电气电子设备失效、误动作，甚至造成设备的损坏，造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值，其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV 和TVS,实施两级保护，并对L、N 线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV 作为第1级SPD保护，泄放大部分雷电流，在线路的末端（设备前端）安装大功率TVS作为第二级SPD保护，进一步削弱过电压波幅值，将电网电压降至E/I安全耐压范围之内，如图3所示。要注意的是，MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合，AB之间的线路长度不应小于5 m,否则应增加线路长度或安装退耦器件。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
MOS管
现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异，N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。
IXFK38N80是一款大功率MOS管，称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为：击穿电压Vds = 800V，工作电流：38A。
下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线，它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。
IXFK38N80击穿电压电流曲线
通常情况下，MOS管耐压越高，导通电阻就越大，使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。
G40N60是手边的一款IGBT，手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。
G40N60击穿电压电流曲线
IGBT中由于存在双极性三极管，它是利用少数载流子完成电流导通，所以IGBT的截止时间较长，无法工作在高频电路中。
近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题，在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。
C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。
C2M008012碳化硅MOS管
但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题，主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。稳压二极管哪个厂家质量好
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。S9013 三极管出厂价格
3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
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