晶体管（transistor）是一种类似于阀门的固体半导体器件，可以用于放大、开关、稳压、信号调制 和许多其他功能。在1947年，由美国物理学家约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和英国物理学家威廉·肖克 利（William Shockley，1910—1989）所发明。他们也因为半导体及晶体管效应的研究获得1956年 诺贝尔物理奖。
二战之后，贝尔实验室成立了一个固体物理研究小组，他们要制造一种能替代电子管的半导体器 件。此前，贝尔实验室就对半导体材料进行了研究，发现掺杂的半导体整流性能比电子管好。因此 小组把注意力放在了锗和硅这两种半导体材料上。 以上的MOS晶体管叫做增强型MOS晶体管，MOS晶体管不只有这一种。电子晶体管哪种好
也可使用其它种类器件完成同样的单向导电功能，比如真空二极管。但是它们非常复杂，具有很多部件，如果过热也会造成器件不可靠，造价很高，也不可能进行小型化。
能够小型化非常关键，晶体管带来了微电子的**变化。Brattain所制作的晶体管是所有晶体管的基础。
为了理解***个晶体管的工作原理，可以把它左右分开，看成两个并联在一起的单向导电的二极管。
在中间是一层半导体锗，它具有负电荷载流子。下面是金属铜形成的导电基底。**上层是有金箔层。
当金箔接触到半导体锗表面的时候，就会形成带有正电荷载流子的半导体。在其下就是带有负电荷载流子的锗半导体。
成都放大电路晶体管晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响.
三、单结晶体管振荡器
1.单结晶体管振荡器电路
在电子电路中，常常利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性，组成非正弦波脉冲振荡电路，单结晶体管振荡电路如图6a所示。图中，R、C为充放电元件，V为单结晶体管，Rb1、Rb2为基极电阻，其中Rb2为限流电阻，Rb1是负载电阻，其两端产生的电压降就是振荡输出信号。
2.单结晶体管振荡电路的工作原理
单结晶体管振荡电路的工作原理如下。当开关S闭合后，电源Ucc接入电路中，单结晶体管的b2经电阻Rb2与电源的正极相连，b1经电阻Rb1与电源的负极相接，即b2、b1之间加上了一个正电压。同时，电源Ucc还通过电阻R对电容C进行充电，电容两端的电压Uc随时间按**规律上升，充电时间常数τ=RC。
当电容两端的电压Uc，即发射极所加的电压Ue＜Up峰点电压时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，电阻Rb1上无电流通过，输出电压Uo=0，即无脉冲信号输出
线性性能也由晶体管端口在基带频率范围内和载波频率的两倍2fC 的阻抗值决定的。 这些被称为带外终端阻抗。 在设计有源器件(MOS、LDMOS或HBT)时，必须要考虑到这一概念。 二阶非线性谐波根据基极电阻在0Hz和2fC增强或减轻。 据研究结论，允许尽量减少HBT失真的比较好基极终端阻抗是：
其中β是HBT电流增益，g m 是跨导增益。
为了更灵活，研究人员提出了HBT PAs的偏置电路拓扑结构，允许以**的方式重新配置偏置电流和基极阻抗。图3的 配置(a)和(b)之间的折衷通常需要找到，以便比较大限度地提高电击穿电压和热击穿电压，同时**小化基带二次谐波。
纳米光子学领域的研究人员一直在努力开发光学晶体管。
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
由于三极管的输出电流是比较大的，可以产生较大的功率作为后级驱动器件但是其功耗比较大.遂宁三极管晶体管
单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。电子晶体管哪种好
三极管的介绍及用途如下 *
三极管的介绍：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的**元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
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