二极管的主要参数
二极管是非线性元件,二极管具有单向导电性
1.比较大整流电流IF。
是指二极管长时间连续使用时,允许通过的比较大正向平均电流
2.反向击穿电压VBR和比较大反向工作电压VRM
反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值
3反向饱和电流IR
指没有发生反向击穿时的反向电流值,反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好,其大小受温度影响较大。
4比较高工作效率
指二极管所能承受的比较高频率,主要由N结的结电容大小决定二极管的性能
一种固态二极管,专门用于ESD 保护。江西二极管
一、MOS管
MOS管是电压控制型器件,栅极(G)的电压控制源极(S)和漏极(D)之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。
NMOS管的原理图示
它们好像是一个受外界磁力控制的开关,当外面有红色磁体时,好像栅极(G)加压,内部的黄色阀门就开启,绿色的电子好像水流一样就会从源极(S)流到漏极(D)。
刚开始水流随着阀门的开启增大而增大,这就是线性工作区。当阀门开到一定程度,水流不会再增大了,因为管子满了。这就是饱和区工作状态。
中山场效应管肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右。
二极管的特性
通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
稳压二极管是很多电路中,低电流供电时使用比较多的方案。因为其成本低,只需与电阻组合,就能够实现基本的稳压电路。虽然它的稳压精度无法做到太高,但是在很多要求不高的电路中,还是比较合适的。
稳压二极管的稳压原理
稳压二极管也叫做齐纳二极管,它具有普通二极管正向导通、反向截止的特性,但是这种二极管的反向电压超过一定值的时候,会出现击穿的现象,并且这种击穿是软击穿,并不会对二极管造成损坏。稳压二极管的稳压作用,就是利用了它的反向击穿作用。稳压二极管内部也是由PN结构成的,PN结在反向击穿时,电流在一定范围内变化时,电压会基本保持不变。
由于稳压二极管并不是每个电压值都有,并且稳压值会存在一定的离散性,所以在选择稳压值时.
场效应管(MOS管)
1、场效应管英文缩写:FET(Field-effecttransistor)
2、场效应管分类:结型场效应管和绝缘栅型场效应管
3、场效应管电路符号:
4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)
注:场效应管属于电压控制型元件,又利用多子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪声小,功耗低,无二次击穿现象等优点。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。激光二极管制造商
稳压二极管在参数选择时,首先需要确定稳压值,这个与负载电路有关。江西二极管
半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写:Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
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