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晶体管基本参数
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晶体管企业商机

一、三极管的放大作用


1.外部条件:发射结正偏,集电结反偏


2.内部条件:基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度


3.IE、IB、Ic之间关系':IE=IB+Ic.




3晶体三极管的特性曲线


一.     定义:指三极管各电极电压和电流之间的关系曲线,主要包括:输入和输出特性曲线。


二.     输入特性曲线


定义:当集电极和发射极之间的电压UCE保持一定时,晶体三极管的输入电流IB(基极电流)与输入电压UBE(基极和发射极之间的电压之间的关系曲线)

:IB=f(UBE)


单结晶体管有三个电极,分别称为***基极b1、第二基极b2、发射极e。东莞电源晶体管

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单结晶体管极性的判断


单结晶体管极性的判断方法常有两种,一种是从外观来看,另一种是用万用表来测量。


(1)外观判断法。从外观上看,引脚与外壳相通的电极,一般是b1极;与凸耳相靠近的电极一般为e极,如图5-8所示。



(2)万用表判断法


1)发射极e的判断


单结晶体管,也叫双基极二极管,有e、b1、b2三个电极,其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。测任意两个管脚的正向电阻和反向电阻,直到测得的正反向电阻都基本不变时(一般约10KΩ~30 KΩ,不同型号的管阻值有差异),这两个管脚就是两个基极,剩下的另一个管脚就是发射极e。


2)b1、b2电极的判断


在判断出发射极e的基础上,万用表量程置于R×1K挡,黑表笔发射极,红表笔分别接另外两个极,万用表两次均会导通,两次测量中,电阻大的一次,红表笔接的就是单结晶体管的b1极。


珠海半导体晶体管金属半导体场效应晶体管(MESFET)之所以被称为这个名称是因为栅极接触是由金属 - 半导体结形成的。

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单结晶体管的主要参数与极性的判断


1.单结晶体管的主要参数


(1)基极间电阻Rbb(即Rb1+Rb2)。其定义为发射极开路时,基极b1、b2之间的电阻,一般为(5~10)KΩ,其数值随温度上升而增大,不同型号的管阻值有较大的差异。


(2)分压比η。η=Rb1/(Rb1+Rb2),由管子内部结构决定的常数,一般为0.3--0.85。


(3)eb1间反向电压Vcb1。在b2开路时,在额定反向电压Vcb2下,基极b1与发射极e之间的反向耐压。


(4)反向电流Ieo。在b1开路时,在额定反向电压Vcb2下,eb2间的反向电流。


(5)发射极饱和压降Veo。在比较大发射极额定电流时,eb1间的压降。


(6)峰点电流Ip:单结晶体管刚开始导通时,发射极电压为峰点电压时的发射极电流。



***个晶体管原理图和外观--**手工打造的三极管


由此,物理学家开始考虑如何能够将器件从三维结构改变成二维的结构。多年之后,包括Westen Electric, RCA,GE等公司开发出结型二维晶体三极管。这种晶体管的性能超过了**早的点接触型的晶体三极管。


世界上***个结型晶体三极管


晶体管发明人之一Walter H. Brattain因其贡献和Bardeen、Shockley三人共同荣获了1956年物理诺贝尔奖。也许Brattain在贝尔实验室团队中显得**没有什么才气,性格低调。


在他获奖感言的一开始就说到:“首先我要说的是,在为能够分享这份诺贝尔物理奖”感到无比荣耀的同时,也意识到我只不过是作为为此作出贡献的众多成员的一个**。没有他们的工作和努力,我不会有机会来这儿领奖。”




场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。

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可以说,在晶圆制造中,直径 30 厘米的圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密的加工设备之间,由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路。热处理、光刻、刻蚀、清洗、沉积……每块晶圆要昼夜无休地被连续加工两个月,经过成百上千道工序,**终集成了海量的微小电子器件,经切割、封装,成为信息社会的基石——芯片。


这是一个 Top-down View 的 SEM 照片,可以非常清晰的看见 CPU 内部的层状结构,越往下线宽越窄,越靠近器件层。


这是 CPU 的截面视图,可以清晰地看到层状的 CPU 结构,由上到下有大约 10 层,其中**下层为器件层,即是 MOSFET 晶体管。


想要弄懂晶体管,就要先弄懂二极管。珠海半导体晶体管

为了理解***个晶体管的工作原理,可以把它左右分开,看成两个并联在一起的单向导电的二极管。东莞电源晶体管

晶体管密度惊人!台积电3nm细节曝光:2.5亿晶体管/mm 能耗性能大幅提升    *


台积电首席执行官确认3nm节点的开发正在按计划进行,计划于2021年进行风险生产,并于2022年下半年开始批量生产。此外,台积电决定3nm采用FinFET晶体管技术。


性能提升上,台积电5nm较7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm较5nm性能提升7%,能耗提升15%。


3nm制程是半导体产业历年比较大手笔投资,更是**争霸的关键战役。据了解,台积电3nm工艺总投资高达1.5万亿新台币,约合500亿美元,光是建厂就至少200亿美元了。


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