电路中，用字母VT表示三极管，图形符号中的箭头表示发射结导通时的电流方向。由于PN结导通时，电流从P区流向N区，因此，NPN型箭头向外，PNP型箭头向里。
了解了三极管的结构，那它是怎样放大信号的呢？
下面来看三极管的工作特性。
俗话说：人往高处走，水往低处流。电流和水流类似，从高电位流向低电位。
如果用水流类比电流，那么三极管就类似于一个T形水管，水管的三个口相当于三极管的三个极，对应集电极和基极位置上有控制出水量大小的联动阀门。小阀门靠水流冲击打开，大阀门在联动杆的带动下动作，三个极的电流就相当于水管三个口流过的水流。
检测晶体三极管时，选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡，并进行调零校正。四川肖特基二极管
三极管的特殊用途：
半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可**使用的两端或三端器件。
1. 扩流。
把一只小功率可控硅（晶闸管）和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其比较大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图1。图2为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图3可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。
2. 代换。
图4中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图5中的三极管可代用8V左右的稳压管。图6中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。
气体管品牌企业确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。
三极管
三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值：
（1）Vceo：在集极开路的情况下，集电极和发射极之间的击穿电压；
（2）Vcbo: 在发射极开路的情况下，集电极和基极之间的击穿电压；
（3）Vebo: 在集电极开路的情况下，发射极与基极之间的击穿电压；
三极管的三个反向击穿电压
虽然在形式上，三极管看似为两个反向的二极管串联，但在工艺上，三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同，使得上面三个反向击穿电压不同，通常情况下它们之间的关系为：
Vcbo>Vceo>>Vebo
8550参数是一款PNP型的三极管，它的数据手册给出的各极性击穿电压为：
Vcbo:40V；Vceo:25V；Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。
8550的不同极之间的击穿电压曲线
C1815是一款NPN型双极型三极管，数据手册给出的耐压数据为：Vcbo:60V; Vceo:50V；Vebo: 5V。下面是对应的测量耐压曲线。
C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线
2SC2383是NPN型**率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为：
Vcbo:160V；Vceo: 160V；Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线：
2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线
如果三极管的耐压不够，往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件，串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。
按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写：Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。气体管品牌企业
将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，再测出一个结果。四川肖特基二极管
三极管有三个区域，发射区和集电区是同一个类型，而中间的基区是另外一个类型。
发射区发射电荷，集电区收集电荷，基区用于控制发射和收集电荷的数量，即电流大小。
以NPN为例，发射区的电荷（自由电子）要想到达集电区，需要穿过两个PN结：发射结和集电结。在发射区，自由电子是多子，所以需要在发射结上加正偏电压，让PN结消失，作为多子扩散到基区。
到达基区后，极少部分电子通过与基区空穴复合形成电流，从基极流出（电流方向是从基极流入），但基区空穴极少，故大部分电荷没有复合的机会，堆积在集电结附近。基区自由电子称为少子（但是***数量较多，基区本身的自由电子+从发射区扩散来的自由电子），需要在集电结反偏时，作为少子漂移过集电结到达集电区。所以三极管工作时需要在发射结加正偏电压，而集电结加反偏电压。
发射结正偏电压的大小决定了从发射区扩散到基区的电荷数目，也间接决定了将来从基极和集电极流出的电子数目，极电流的大小。
集电结反偏电压的大小也决定了从基区吸引过来的电子的数目多少。所以集电极电流IC是由发射结电压和集电结电压共同作用的结果。
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