12V,24V蓄电池自动充电器电路
单结晶体管BT33、C3、W1、W2等元件组成了弛张振荡器，其产生的脉冲信号经隔离二极管D4输送至可控硅SCR1的控制极，调整W1的阻值可改变SCR1的触发导通角，即改变了充电电流。可控硅SCR2、继电器J、W3、W4、D5等元件组成蓄电池充满电自动保护电路，当电池两端电压被充至W3、W4设定的上限值时，D5导通，SCR2受触发导通，LED2显示，继电器吸合，同时J切换到常开，切断了SCR1的控制脉冲集中，即停止对蓄电池的充电。K2为12V、24V电池充电的转换开关，图示置于12V档位。
三极管的作用也可以作放大器、振荡器、变换器使用。湖南电阻晶体管
三极管放大原理参考示意图
① 如图 2.20 （ａ）所示：当发射结无电压或施加电压在门限电压以下，相当于闸门关紧时，水未从水龙头底部通过水嘴流出来。此时， ec 之间电阻值无穷大， ec 之间的电流处于截止状态，或者说是开关的 OFF 状态。
子元器件基础知识- -三极管 *
三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。
目前应用*****，工艺**成熟的半导体材料就是硅（Si），大家电脑和手机中CPU都是用硅做的，以硅举例，经过取材和反复提炼之后的高纯硅是几乎绝缘的，人们也没法直接拿一块高纯硅来用，这需要后续的掺杂，才能使其具有导电性，再加上其他许多后续的半导体工艺，才能真正做成各类器件芯片，投入实用。
掺杂的意思就是，往一块半导体里掺其他元素，即使只掺万分之一，甚至更少数量的其他元素，这个半导体的导电性能，就会发生几万倍甚至更大幅度的变化。并且，根据掺杂元素的种类和浓度的不同，它的导电性能和其他特性还会发生有趣的变化。掺入Ⅲ族元素的硅是P（positive，正）型半导体，主要以空穴导电；掺入Ⅴ族元素的硅是N（negative，负）型半导体，主要以电子导电。（这个具体的形成过程比较简单，略，想要进一步了解私聊我，或者翻阅教科书）
单个晶体管的成本收益预测 *
学习曲线，甚至比摩尔定律更为重要，图一是单个晶体管的成本收益学习曲线。自1954 年以来，单个晶体管的收益与可预测学习曲线强相关。在摩尔定律之前，学习曲线为半导体行业提供了一盏指路明灯。德州仪器将其用于战略指定，并与波士顿咨询集团 ( Boston Consulting Group ) 共享数据，后者出版了一本名为《经验展望》( Perspectives on Experience ) 的书。在锗硅分立晶体管时代，像TI 这样的公司可以利用学习曲线，根据生产的**00 个元器件的实际成本，来预测生产10 万个元器件后的单位成本。然后，可以对特定的晶体管元器件进行亏本定价，以获得**的市场份额，当销量达到未来的高单位时，可以实现更高的盈利能力和市场影响力。学习曲线并不是由德州仪器创造的，早于晶体管发明，它在1852 年就被开发出来，被用于航空等行业，当飞机数达到一定量后，就可以用其来预测每架飞机的成本。德州仪器将其引入半导体领域，它利用学习曲线在新元件生命周期早期指导定价策略。
第一种FinFET晶体管类型称为“耗尽型贫沟道晶体管”或“ DELTA”晶体管。
GAA晶体管
而当先进工艺发展到了7nm阶段，并在其试图继续向下发展的过程中，人们发现，FinFET似乎也不能满足更为先进的制程节点。于是，2006年，来自韩国科学技术研究院（KAIST）和国家nm晶圆中心的韩国研究人员团队开发了一种基于全能门（GAA）FinFET技术的晶体管，三星曾表示，GAA技术将被用于3nm工艺制程上。
GAA全能门与FinFET的不同之处在于，GAA设计围绕着通道的四个面周围有栅极，从而确保了减少漏电压并且改善了对通道的控制，这是缩小工艺节点时的基本步骤，使用更***的晶体管设计，再加上更小的节点尺寸，和5nm FinFET工艺相比能实现更好的能耗比。
GAA 技术作为一款正处于预研中的技术，各家厂商都有自己的方案。比如 IBM 提供了被称为硅纳米线 FET （nanowire FET）的技术，实现了 30nm 的纳米线间距和 60nm 的缩放栅极间距，该器件的有效纳米线尺寸为 12.8nm。此外，新加坡国立大学也推出了自己的纳米线 PFET，其线宽为 3.5nm，采用相变材料 Ge2Sb2Te5 作为线性应力源。
另据据韩媒Business Korea的报道显示，三星电子已经成功攻克了3nm和1nm工艺所使用的GAA （GAA即Gate-All-Around，环绕式栅极）技术，正式向3nm制程迈出了重要一步，预计将于2022年开启大规模量产。
三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。乐山场效应晶体管
单结晶体管的伏安特性，是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue。湖南电阻晶体管
通俗易懂的三极管工作原理 *
1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。
2、晶体三极管的工作原理。
其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V)；（b）在C极和E极之间施加反向电压（此电压应比eb间电压较高）；（c）若要取得输出必须施加负载。
湖南电阻晶体管
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