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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

可控硅模块的出现已经历史悠久,它的出现也帮助人们解决了很多难题,凭借它的优势,使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎,下面正高来详细的说下可控硅模块。


可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。 淄博正高电气有限公司锐意进取,持续创新为各行各业提供专业化服务。莱芜可控硅模块分类

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可控硅模块与其它功率器件一样,工作时由于自身功耗而发热。如果不采取适当措施将这种热量散发出去,就会引起模块管芯PN结温度急剧上升。致使器件特性恶化,直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。在工频或400Hz以下频率的应用中相当主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作,设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要,千万不可大意!散热器的常用散热方式有:自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是:控制模块中管芯的结温Tj不超过产品数据表给定的额定结温湖南大功率可控硅模块型号淄博正高电气有限公司以诚信为根本,以质量服务求生存。

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正高可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有两个阳极:一阳极A1(T1),二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

  只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

满足可控硅模块工作的必要条件:

(1)+12V直流电源:可控硅模块内部控制电路的工作电源。

①可控硅模块输出电压要求:+12V电源:12±0.5V ,纹波电压小于20mv 。

②可控硅模块输出电流要求:标称电流小于500安培产品:I+12V>0.5A,标称电流大于500安培产品:I+12V> 1A。

(2)可控硅模块控制信号:0~10V或4~20mA控制信号,用于对输出电压大小进行调整的控制信号,正极接CON10V或CON20mA,负极接GND1。

(3)可控硅模块供电电源和负载:供电电源一般为电网电源,电压460V以下的或者供电变压器,接可控硅模块的输入端子;负载为用电器,接可控硅模块的输出端子。 淄博正高电气有限公司以质量求生存,以信誉求发展!

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可控硅模块散热条件的好坏直接关系到商品的运用寿数和短时过载才华,温度越低模块的输出电流越大,所以在运用中有必要装备散热器和风机,主张选用带有过热维护功用的商品,有水冷散热条件的优先挑选水冷散热。咱们经过严肃测算,断定了不一样类型的商品所大概装备的散热器类型,推荐选用厂家配套的散热器和风机,用户自备时按以下准则挑选:

1、轴流风机的风速应大于6m/s ;

2、有必要能确保模块正常作业时散热底板温度不大于80℃;

3、模块负载较轻时,可减小散热器的大小或选用天然冷却;

4、选用天然办法冷却时散热器周围的空气能结束对流并恰当增大散热器面积;

5、悉数紧固模块的螺钉有必要拧紧,压线端子联接强健,以削减次生热量的发生,模块底板和散热器之间有必要要涂敷一层导热硅脂或垫上一片底板大小的导热垫,以抵达良好散热作用。 淄博正高电气有限公司不断从事技术革新,改进生产工艺,提高技术水平。吉林快恢复可控硅模块分类

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相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。


可控硅模块的主要参数有:


(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。


(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。


(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 莱芜可控硅模块分类

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