晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base） 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。
晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。
由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。 放大功能是晶体三极管的主要功能。温州放大电路晶体管
在讨论学习曲线时，我将重点放在晶体管上，但应该注意的是，可以很容易地使用电子“开关”作为测量单位。同样，学习曲线也适用于机械开关、真空管。除此之外，学习曲线还可以用来预测性能、可靠性 (FITS)、功耗和许多其他参数。学习曲线还可以预测新技术采用的“临界点”。一个很好的例子是2001 年半导体测试行业引入的“压缩技术”。事后看来，通过集成电路中晶体管测试成本的学习曲线，该项重大创新是不可避免的。ATE 的成本学习曲线与硅晶体管的学习曲线不平行，并且有一个较小的陡坡，ATE 成本下降的速度不够快。常州绝缘栅双极型晶体管Westen Electric 公司在1951年开始批量生产这种点接触式晶体三极管。
二极管（diode）的结构与特点
二极管虽然相对简单些但是其种类也是比较多的。虽然它只有一个PN结但通过不同的制造工艺和材料可以制作成整流、检波、稳压、开关、发光等用途非常多的二极管。
二极管、晶体管、MOS管联系和区别
通过以上的距离由此我们得出这些器件都是由半导体PN结组成；通过不同的制造工艺实现不同的功能，比如三极管是电流控制器件而MOS管则是电压控制器件；由于三极管的输出电流是比较大的，可以产生较大的功率作为后级驱动器件但是其功耗比较大；三极管称为“双极型器件”，基区是由少子导电，发射区和集电区是由多子导电、那么场效应管是“单极性器件”，只有一种载流子工作。
每平方毫米近3亿个晶体管！台积电3nm工艺挑战摩尔定律 *
智东西4月21日消息，据外媒phoneArena报道，台积电的3nm芯片将实现每平方毫米近3亿个晶体管的晶体管密度，提升了1.7倍。同时，其性能将提升5%，能耗降低15%，预计将于2021年下半年开始生产，2022年下半年实现量产。
长期以来，台积电和三星一直都在竞相完善3nm芯片的生产设施，但由于今年肺炎病毒的爆发，双方的完善进度亦受到了影响。据悉，三星3nm芯片的量产计划也将从2021年推迟到2022年。
vt是一个npn型三极管，起放大作用。
研究人员展示了未来光晶体管的平台 *
纳米光子学领域的研究人员一直在努力开发光学晶体管，这是未来光学计算机的关键组件。这些设备将使用光子而不是电子来处理信息，从而减少热量并提高运行速度。但是，光子不能很好地相互作用，这对微电子工程师来说是一个大问题。俄罗斯圣光机大学（ITMO）的一组研究人员提出了解决该问题的新方法：通过创建一个平面系统将光子耦合到其他粒子，从而使它们彼此相互作用。他们的方法有望为开发未来的光学晶体管提供平台。研究成果发表在《Light: Science & Applications》上。
单结晶体管的内部结构、等效电路、图形符号如图1所示。使用晶体管联系方式
晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响.温州放大电路晶体管
晶体管的诞生
在晶体管诞生之前，放大电信号主要是通过真空电子管，但由于真空管制作困难、体积大、耗能高且使用寿命短，使得业界开始期望电子管替代品的出现。1945年秋天，贝尔实验室正式成立了以肖克利为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人，开始对包括硅和锗在内的几种新材料进行研究。
1947年贝尔实验室发表了***个以锗半导体做成的点接触晶体管。但由于点接触晶体管的性能尚不佳，肖克利在点接触晶体管发明一个月后，提出了使用p-n 结面制作接面晶体管的方法，称为双极型晶体管。当时巴丁、布拉顿主要发明半导体三极管；肖克利则是发明p-n 二极管，他们因为半导体及晶体管效应的研究获得1956年诺贝尔物理奖。
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